化學(xué)氣相合成六方氮化硼薄膜-生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)與性質(zhì).pdf

1、本研究采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法以及He-N2-BF3-H2的混合氣源系統(tǒng)在(100)取向的Si片上沉積出了高質(zhì)量的六方氮化硼(hBN)薄膜。系統(tǒng)地研究了各種參數(shù)如氣源組分、微波功率、工作氣壓、沉積時(shí)間等對(duì)氮化硼薄膜生長(zhǎng)行為的影響。用透射電子顯微鏡(TEM)、陰極射線發(fā)光光譜、掃描電子顯微鏡(SEM)、傅立葉變換紅外譜(FTIR)和拉曼光譜等手段對(duì)沉積薄膜進(jìn)行了表征，根據(jù)測(cè)試結(jié)果系統(tǒng)研究了各沉積參數(shù)對(duì)hBN薄膜的表面形貌、生長(zhǎng)速率

2、、結(jié)晶度、發(fā)光性質(zhì)及晶體結(jié)構(gòu)特征等方面的影響規(guī)律。結(jié)果表明：
　　1)本研究沉積的hBN薄膜具有特殊的結(jié)構(gòu)特征，一般是由厚度在納米量級(jí)的片層組成，片層表現(xiàn)為具有分支的立體結(jié)構(gòu)，在大的片層上生長(zhǎng)有眾多尺寸更小的分支片層，分支片層垂直于主片層表面。主片層長(zhǎng)度500~800nm，厚度10~25nm，分支片層長(zhǎng)度100~400nm，厚度10~25nm。
　　2)襯底材料預(yù)處理階段的表面打磨可以促進(jìn)hBN的表面形核，縮短形核時(shí)間，從而

3、提高了整體生長(zhǎng)速率。
　　3)hBN薄膜的生長(zhǎng)速率隨反應(yīng)氣相中H2濃度的增加而提高，同時(shí)，結(jié)晶度有一定的改善。
　　4)微波功率對(duì)hBN薄膜的生長(zhǎng)有很大的影響。隨著微波功率的增加hBN薄膜生長(zhǎng)速率增大，結(jié)晶度提高。
　　5)隨著工作氣壓的增加，hBN薄膜的生長(zhǎng)速率增加，在過(guò)低的壓力下沒(méi)有hBN產(chǎn)物的生成。過(guò)高的壓力下薄膜結(jié)晶性有變差的趨向。
　　6)沉積時(shí)間對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的影響主要表現(xiàn)在生長(zhǎng)的初始階段。沉積1h的hB