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文檔簡介
1、提高集成度，發(fā)展新型器件是當前集成電路發(fā)展的一個重要方向。實空間轉(zhuǎn)移晶體管RSTT具有高頻、高速、可控負阻等特性，且可與HEMT或其它化合物高速器件集成在一起，構成多種功能的高速集成電路，這將會使半導體負阻器件在新材料、新結(jié)構方面的應用進一步延伸。本課題正是在此基礎上展開研究的。 本文首先介紹了RSTT的課題背景、研究進展，之后給出了δ摻雜雙溝道GaAs/InGaAs共振隧穿RSTT的材料結(jié)構設計、器件的工藝制作以及器件的I-V
2、特性測試。最后，通過使用ATLAS軟件對器件進行模擬。 RSTT是一種N型負阻器件，它利用熱電子在實空間中的轉(zhuǎn)移來實現(xiàn)遷移率的降低或分流。當熱電子的能量超過勢壘高度時，則可克服勢壘注人到襯底第二導電層中去，如在柵極加適當?shù)碾妷簞t可進一步促進這種電子的轉(zhuǎn)移運動，從而出現(xiàn)負阻特性。其兩溝道分別由InGaAs形成的U形勢阱和6摻雜形成三角勢阱構成。電子轉(zhuǎn)移機制有兩種：低柵壓時，熱電子從U形勢阱轉(zhuǎn)移到V形勢阱，柵極電壓增大時則越過柵極
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