無鋁大功率量子阱激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料的SSMBE生長.pdf

1、本文以無鋁化合物半導(dǎo)體材料生長及其物理特性研究為研究方向，文獻調(diào)研和探討了無鋁化合物半導(dǎo)體激光器的研究進展；闡述了分子束外延設(shè)備原理和無鋁半導(dǎo)體外延層的表征方法；深入研究了MBE生長工藝對InGaP/GaAs異質(zhì)材料的表面形貌以及生長模式的影響及其規(guī)律；利用Raman光譜，分析其有序化的變化規(guī)律，實現(xiàn)了主要參數(shù)對組份影響的預(yù)測。主要成果和創(chuàng)新點如下： 1．通過對大光腔無鋁半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)的設(shè)計，從理論上得到實現(xiàn)量子阱激光器大功率

2、運轉(zhuǎn)所需各外延層的厚度設(shè)計，對激光器無鋁材料的外延生長提供了理論依據(jù)。 2．通過生長參數(shù)和材料性能的綜合實驗研究，分析和討論了生長溫度、In/Ga比、V/III比等參數(shù)對材料組分和表面形貌的影響，獲得了晶格失配度在10<'-4>量級的InGaP/GaAs異質(zhì)外延材料。 3．通過InGaP/GaAs異質(zhì)外延材料的拉曼光譜研究，結(jié)果顯示出InGaP合金的雙模模式，即2個縱光學聲子模和2個橫光學聲子模；TO<,2>和LO<,1