AlN薄膜腔聲諧振濾波器的設(shè)計(jì)與制備.pdf

1、無線通信技術(shù)的迅猛發(fā)展對頻率器件提出了微型化、低功耗、高性能等要求。傳統(tǒng)射頻頻率器件的解決方案主要是微波介質(zhì)陶瓷和聲表面波(SAW)技術(shù)。前者雖有較好的性能，但體積太大；后者體積雖小，但存在著工作頻率不高、插入損耗較大、功率容量較低等缺點(diǎn)。薄膜體聲波諧振濾波器(FBAR filter)既綜合了介質(zhì)陶瓷性能優(yōu)越和SAW體積較小的優(yōu)勢，又克服兩者的缺點(diǎn)，其工作頻率高、功率容量大、損耗低、體積小，是目前唯一有望集成的射頻濾波器技術(shù)，正成為國內(nèi)

2、外研究的熱點(diǎn)。
　　 為了模擬器件性能和指導(dǎo)器件的制備，本文從基本的壓電方程和運(yùn)動(dòng)學(xué)方程出發(fā)，推導(dǎo)了諧振器的一維Mason等效電路模型與MBVD模型，利用射頻仿真軟件(AdvancedDesign System，ADS)對FBAR濾波器進(jìn)行電路設(shè)計(jì)與仿真，模擬了器件的頻率特性，為器件的制備與分析奠定了理論基礎(chǔ)。
　　 AIN壓電薄膜作為薄膜腔聲諧振器的優(yōu)選壓電材料，是器件制作的材料基礎(chǔ)。本文采用射頻磁控反應(yīng)濺射技術(shù)，通過

3、優(yōu)化濺射工藝條件，在Mo電極上沉積出了重復(fù)性好的高質(zhì)量c軸擇優(yōu)取向AIN薄膜，薄膜X射線衍射僅呈現(xiàn)(002)峰，且有良好的柱狀晶結(jié)構(gòu)，平滑的表面，適于器件應(yīng)用的需要。
　　 采用MEMS工藝制備了具有三明治結(jié)構(gòu)的背空腔型體聲波諧振器。在諧振器的基礎(chǔ)上制備了3級梯形結(jié)構(gòu)的薄膜腔聲諧振濾波器，利用高頻網(wǎng)絡(luò)分析儀和微波探針臺測試其頻率特性，所制備的濾波器結(jié)構(gòu)完整，圖形整齊，并得到濾波器的帶寬為180MHz，帶外衰減為-10.12dB，