5MHz單片式硅酸鎵鑭晶體濾波器.pdf

1、現(xiàn)代電子應用的很多領域，為了提高或完善整機系統(tǒng)的性能，對電子設備的性能提出了越來越高的要求。對濾波器來說，要求體積更小、帶寬更寬、穩(wěn)定性更好。傳統(tǒng)的石英晶體（Quartz Crystal）濾波器已經(jīng)不能滿足這些要求，因此需要尋找一種機電耦合系數(shù)更高、溫度性能更好的新型壓電材料。最近研究表明，硅酸鎵鑭（Langasite,分子式為La3Ga5SiO14，以下簡稱 LGS）晶體具有以上性質(zhì)，在一些重要的應用中能取代石英晶體，滿足整機系統(tǒng)的需

2、求。
　　LGS晶體的機電耦合系數(shù)介于石英和鉭酸鋰晶體之間，適合制作相對帶寬為0.3％～0.8%的濾波器。而且Y切-3o的LGS晶體還具有零溫度系數(shù)，具有良好的頻率溫度穩(wěn)定性。本文對單片LGS晶體濾波器的研制和生產(chǎn)工藝進行了創(chuàng)新性探索和研究，主要內(nèi)容如下：
　?。?）詳細研究了Y切LGS晶體切角與頻率溫度特性關系，找到一種切向滿足頻率溫度性好，機電耦合系數(shù)大的LGS晶體。
　?。?）詳細研究了單節(jié)LGS晶體濾波器的晶片

3、尺寸、電極尺寸、電極厚度和電極間距等參數(shù)設計方法，研究了三節(jié)級聯(lián)的單片LGS晶體濾波器的設計方案。
　?。?）詳細研究了單片LGS晶體濾波器的生產(chǎn)工藝。
　?。?）研究了單片LGS晶體濾波器的可靠性設計方案。
　　通過以上研究，研制出的這種單片LGS晶體濾波器，它的技術(shù)指標是：中心頻率為5MHz，3dB帶寬為20KHz，帶內(nèi)波動小于0.5dB，阻帶抑制大于80dB，矩形系數(shù)（B75/B3）小于3，阻抗1200Ω，體積只