半Heusler形狀記憶合金Ni-Mn-Sb的磁性、磁卡效應及磁電阻研究.pdf

1、由于環(huán)境保護意識的不斷加強，近年來磁制冷技術和相關材料的研究成為制冷領域的研究熱點。其中對鐵磁性半Heusler合金磁卡效應的研究主要集中在Ni-Mn-Ga，Ni-Mn-In和Ni-Mn-Sn三個體系中。本文系統(tǒng)地研究了鐵磁性半Heusler形狀記憶合金Ni50-xMn38+xSb12 (x =-1，0，1，2)的磁性、磁卡效應及磁電阻，在室溫附近得到了大的磁卡效應和磁電阻。
　　 本文采用磁控電弧熔煉法和真空退火法制備了半He

2、usler形狀記憶合金Ni50-xMn38+xSb12(x =-1，0，1，2)系列樣品。通過X射線衍射分析了樣品的晶體結構及晶格常數(shù)。用超導量子干涉儀(SQUID)、物理性能測試儀(PPMS)等設備測量樣品的磁性和磁電阻。系統(tǒng)的研究了這一系列合金的磁性、磁卡效應和磁電阻效應。
　　 X射線衍射分析顯示Ni50-xMn38+xSb12(x =-1，0，1，2)系列合金均為單相；各樣品均具有兩個相變，低溫為馬氏體結構相變，高溫為從

3、鐵磁性到順磁性的轉變。
　　 Ni50-xMn38+xSb12 (x =-1，0，1，2)合金中產生了大的磁卡效應。在278 K，磁場變化5 T時，Ni49Mn39Sb12最大磁熵變 達到21.68 J/kg?K。這一數(shù)值超過了傳統(tǒng)的Gd5(Si2Ge2)(18 J/kg?K)。
　　 Ni50-xMn38+xSb12 (x =-1，0，1，2)合金的電阻率在馬氏體結構轉變處發(fā)生突變，這種突變是由馬氏體?奧氏體的轉變引起