基于多孔硅的三維PN結(jié)結(jié)構探索.pdf

1、本文論述了基于多孔硅的三維PN結(jié)結(jié)構的形成及在核電池和X射線探測器中的應用，同時研究了此三維PN結(jié)結(jié)構的制備工藝，特別地討論了電化學刻蝕技術形成多孔結(jié)構的工作原理，并且進行了采用SiO2掩膜和Si3N4掩膜制備三維PN結(jié)結(jié)構的實驗探索。 第一章首先介紹了基于多孔硅的三維PN結(jié)結(jié)構的形成、應用、研究現(xiàn)狀以及本文工作。 第二章介紹了三維PN結(jié)的制備工藝，并且重點介紹了電化學刻蝕多孔硅的工作原理及其影響因素。 第三章討

2、論了采用SiO2掩膜的p-型半導體硅上制作宏多孔硅結(jié)構，再進行擴散制得三維PN結(jié)，探索其I-V、C-V電學性能，并且進行了孔距、孔深影響的模擬，特別是著重分析孔距(側(cè)壁厚度)的影響。實驗發(fā)現(xiàn)，當側(cè)壁厚度薄到兩側(cè)的擴散層接近會聚時，孔深的提高對有效結(jié)面積影響不大。 第四章詳細討論了采用低應力Si3N4掩膜的p-型硅上制作宏多孔硅，再進行擴散制得三維PN結(jié)。此實驗重點是擴大側(cè)壁厚度，以提高三維PN結(jié)的有效結(jié)面積。實驗發(fā)現(xiàn)，采用抗蝕性