SiGe HBT小信號(hào)模型研究及SiGe BiCMOS工藝寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf

1、SiGe HBT自上世紀(jì)80年代后期被研制成功后，由于其優(yōu)異的高頻性能和與傳統(tǒng)Si工藝兼容的優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于射頻和微波集成電路中。其小信號(hào)等效電路模型表征了器件的高頻特性，利用該模型不僅可以指導(dǎo)電路設(shè)計(jì)者將電路設(shè)計(jì)的更加合理，而且可以指導(dǎo)芯片制造者做出更高性能的器件，因此SiGe器件建模以及模型參數(shù)提取技術(shù)已經(jīng)成為近幾年國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)。 由于Si襯底的損耗特性，傳統(tǒng)的Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT的小信號(hào)模型參數(shù)提取方法并不適用于S

2、iGe HBT。因此本文考慮了Si襯底的寄生效應(yīng)，采用了不同于Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT的焊盤等效電路模型，并用了三個(gè)電容等效網(wǎng)絡(luò)法、近似法和線性擬合法等三種方法進(jìn)行了焊盤寄生參數(shù)的提取，并對(duì)各自提取精度進(jìn)行了對(duì)比。選用精度較好的線性擬合法結(jié)果進(jìn)行焊盤寄生參數(shù)的剝離后，對(duì)SiGe HBT進(jìn)行了小信號(hào)模型參數(shù)提取。其中，外部電阻在基極“過(guò)驅(qū)動(dòng)電流”模式下求得，而本征部分的所有參數(shù)都用解析法求得。 利用0.35μm SiGe BiCMOS