ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的制備及場發(fā)射性能的研究.pdf

1、由于半導(dǎo)體氧化物在光學(xué)、光電、催化、壓電等領(lǐng)域獨(dú)特而新穎的應(yīng)用，基于氧化物的一維納米材料的研究引起了世界范圍內(nèi)的廣泛關(guān)注。ZnO作為一種重要的Ⅱ-Ⅵ族直接寬禁帶半導(dǎo)體氧化物，在短波光電器件方面有著廣闊的應(yīng)用前景。ZnO一維納米材料是納米材料和重要半導(dǎo)體氧化物的完美結(jié)合，各種一維納米結(jié)構(gòu)的ZnO材料已先后被報(bào)道。對(duì)ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的制備、性能、生長機(jī)理及應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)的研究不論在科研還是實(shí)際應(yīng)用方面都具有重要的意義。 本研究主要圍

2、繞ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的制備展開，利用熱蒸發(fā)法和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法合成了多種不同形貌的ZnO一維納米結(jié)構(gòu)；并在此基礎(chǔ)上，研究了生長參數(shù)對(duì)形貌的影響；表征并分析了其組分、結(jié)構(gòu)、光學(xué)和場發(fā)射性能；并討論了其生長機(jī)理。 本研究利用熱蒸發(fā)法在硅襯底上合成了大量形貌一致，晶體質(zhì)量良好的高純ZnO納米梳，其尖端的直徑約為25nm左右，長度分布在800-1500nm之間。我們用熱蒸發(fā)法還制備了棒狀、寶塔狀、鉛筆狀和啞鈴狀ZnO，測試結(jié)果表

3、明其具有高純度和c軸擇優(yōu)取向。此外，我們還分析了襯底位置、生長溫度和生長時(shí)間等因素對(duì)ZnO形貌的影響，提出了低溫形核、高溫生長的機(jī)理，在此基礎(chǔ)上初步實(shí)現(xiàn)了ZnO一維結(jié)構(gòu)的可控生長。 本研究通過MOCVD低溫高溫兩步法制備了大量分布均勻，沿c軸擇優(yōu)取向生長的高純ZnO納米線；其直徑和長度的范圍分別在30-60nm和200-400nm之問；PL譜中只有一個(gè)紫外激發(fā)峰，表明用這種方法制備的ZnO納米線的晶體質(zhì)量完好，基本沒有氧空位。