TD-SCDMA移動終端射頻發(fā)射芯片正交調制器的設計.pdf

1、本文主要研究內容是TD-SCMDA移動終端中射頻發(fā)射芯片的正交調制器的設計。近些年來，基于TD-SCDMA標準的移動通信系統相關技術的研究成為業(yè)界關注的焦點；其中，其移動終端核心芯片的研究更是得到了各個方面的重視。作為其射頻芯片組中的一個重要的模塊，正交調制器在直接轉換射頻發(fā)射芯片中同時完成移動終端基帶信號的調制和上變頻功能，其性能的優(yōu)劣對移動終端的發(fā)射芯片的性能起著決定性的作用。為此，作者采用Jazz公司的0.35um的鍺硅BiCMO

2、S工藝，進行了有關設計，得到了一個符合TD-SCDMA標準的移動終端射頻發(fā)射芯片的正交調制器設計結果，有關仿真結果證實了電路設計的有效性，版圖設計通過了設計規(guī)則驗證。 作為對相關工作的介紹，本文首先對作者在熟悉TD-SCDMA技術特點、該標準下移動終端的射頻發(fā)射芯片結構，以及正交調制器和混頻器的基本原理等方面的過程中的體會進行了概述；并基于吉爾伯特混頻器結構定義了混頻器的相關性能指標。其次，從考察射頻發(fā)射芯片結構入手，分析了正交

3、調制器的性能指標及其相應的工藝的選擇；并基于這些分析對混頻器進行了設計與進一步的優(yōu)化。這些優(yōu)化針對移動終端射頻發(fā)射芯片的特點，主要集中在功耗、偏置、本振幅度、增益、線性度、噪聲以及阻抗匹配等方面。在此基礎上，給出了基于這些優(yōu)化結果的一種混頻器設計電路圖以及相應的仿真結果。更進一步，基于上述混頻器的設計，給出了正交調制器的設計電路圖及輸出頻譜、隔離度、功耗、線性特性、溫度特性、器件快慢模型、鄰道泄漏功率比等性能指標的仿真結果，并給出了正交