碲化鎘太陽電池及相關(guān)薄膜的電子輻照特性研究.pdf

1、對SnO<,2>：F、ZnTe：Cu化合物半導(dǎo)體多晶薄膜和CdS/CdTe多晶薄膜太陽電池進行電子輻照，研究輻照能量、注量對薄膜性質(zhì)和器件性能的影響，可明晰多晶薄膜和器件的損傷機制，這對發(fā)展新型抗輻照、穩(wěn)定和低質(zhì)量功率比的空間太陽電池有重要意義。 對化合物半導(dǎo)體多晶薄膜的電子輻照研究結(jié)果表明，SnO<,2>：F薄膜在受到1MeV不同注量的電子輻照后，除了霍爾系數(shù)在輻照后出現(xiàn)增長的趨勢外，載流子濃度和遷移率均減小，出現(xiàn)了非線性的變

2、化趨勢。而ZnTe：Cu薄膜受到電子輻照后，遷移率及霍爾系數(shù)都明顯降低，當(dāng)輻照注量達到1×10<'16>cm<'-2>時，衰降97.8％，載流子濃度隨著輻照注量的增大而大幅度增大。 對碲化鎘多晶薄膜太陽電池進行了不同注量的1MeV電子輻照，結(jié)果表明：開路電壓與輻照注量基本無關(guān)，玻璃輻照變色導(dǎo)致電池短路電流密度降低，輻照可能導(dǎo)致邊緣短路加劇，這些因素共同導(dǎo)致輻照后樣品轉(zhuǎn)換效率降低；輻照前后電池的二極管理想因子無明顯改變，均在2.3

3、-3之間。輻照后的樣品在正向偏壓超過1伏時，電池電容比輻照前減小約1nF/cm<'2>。 對碲化鎘多晶薄膜太陽電池進行了不同注量的0.5MeV電子輻照，結(jié)果表明：在正向偏壓超過1.0伏時，樣品受到低注量電子入射后，電池電容比輻照前減小了約0.01nF/cm<'2>。當(dāng)輻照注量增大后，輻照后的電池電容較輻照前大，增幅隨著輻照注量增大而減小。當(dāng)注量達到1×10<'16>/cm<'2>時，增幅突然增大。電池受輻照后帶隙狀態(tài)密度明顯減小