一維SiC納米材料的合成制備與測試表征.pdf_第1頁
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1、洳：：I≥J法’碩士學位論文浙江大學碩士學位論文過有氧氣參與時，計算在各個溫度下各反應(yīng)的吉布斯函數(shù)AG得到解釋。1200K以下時，SiO可與CO反應(yīng)生成SiC和C02或SiC和Si02；1200K以上時，SiO與CO反應(yīng)只生成SiC和Si02。上述研究表明，通過采用不同碳源和改變實驗條件，可得到各種形貌和結(jié)構(gòu)的SiC一維納米材料。實踐證明，該方法簡單易行，原料易得，產(chǎn)品產(chǎn)率較高，對大規(guī)模制備SiC一維納米材料具有十分重要的意義。關(guān)鍵詞：

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