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1、洳：：I≥J法’碩士學(xué)位論文浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文過有氧氣參與時(shí)，計(jì)算在各個(gè)溫度下各反應(yīng)的吉布斯函數(shù)AG得到解釋。1200K以下時(shí)，SiO可與CO反應(yīng)生成SiC和C02或SiC和Si02；1200K以上時(shí)，SiO與CO反應(yīng)只生成SiC和Si02。上述研究表明，通過采用不同碳源和改變實(shí)驗(yàn)條件，可得到各種形貌和結(jié)構(gòu)的SiC一維納米材料。實(shí)踐證明，該方法簡(jiǎn)單易行，原料易得，產(chǎn)品產(chǎn)率較高，對(duì)大規(guī)模制備SiC一維納米材料具有十分重要的意義。關(guān)鍵詞：
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