CMOS多功能漏電保護(hù)控制芯片設(shè)計(jì).pdf

1、隨著我國(guó)社會(huì)經(jīng)濟(jì)建設(shè)的快速發(fā)展，電網(wǎng)結(jié)構(gòu)越來(lái)越龐大與復(fù)雜，人們普遍地使用漏電保護(hù)器。漏電保護(hù)控制芯片作為漏電保護(hù)器的核心部分，對(duì)漏電保護(hù)器的性能影響非常大，所以研究和設(shè)計(jì)漏電保護(hù)控制電路變的尤為重要。 本論文設(shè)計(jì)了一款多功能漏電保護(hù)芯片，適用于低壓配電系統(tǒng)。芯片設(shè)計(jì)了漏電保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)和過(guò)負(fù)載保護(hù)三個(gè)主要功能，采用了數(shù)字延時(shí)電路設(shè)計(jì)，改進(jìn)了傳統(tǒng)漏電保護(hù)芯片有關(guān)時(shí)間控制電路采用RC延時(shí)電路設(shè)計(jì)，加入了對(duì)輸入信號(hào)有效性的判斷功能和多

2、個(gè)保護(hù)級(jí)可選擇應(yīng)用功能，同時(shí)還設(shè)計(jì)了開(kāi)關(guān)控制電路和報(bào)警電路，對(duì)開(kāi)關(guān)的狀態(tài)和動(dòng)作進(jìn)行全面的控制。電路采用CMOS Chrt0.35μm工藝、數(shù)模混合的設(shè)計(jì)方法，用Cadence IC5141和IDV軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真。完成了系統(tǒng)中各個(gè)功能模塊內(nèi)部所需的帶隙基準(zhǔn)、運(yùn)放、邏輯運(yùn)算等電路的設(shè)計(jì)，進(jìn)行了電路的仿真和驗(yàn)證，仿真結(jié)果表明實(shí)現(xiàn)了各個(gè)模塊的功能和性能指標(biāo)，同時(shí)，對(duì)數(shù)字部分總體電路進(jìn)行了系統(tǒng)仿真，結(jié)果表明符合設(shè)計(jì)要求，文章中最后給出了部分版