多弧離子鍍制備TiC薄膜的工藝及性能研究.pdf

1、自70年代以來(lái)，表面技術(shù)得到突飛猛進(jìn)的發(fā)展，無(wú)論在學(xué)術(shù)上還是在實(shí)際應(yīng)用中都取得了豐碩的成果。離子鍍技術(shù)是當(dāng)今使用面最廣、最先進(jìn)的表面處理技術(shù)之一，而多弧離子鍍更是其中的佼佼者。本文采用多弧離子鍍技術(shù)在高速鋼表面沉積TiC薄膜并對(duì)膜的制備工藝和性能進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。 論文第一部分主要研究鍍膜過(guò)程中，沉積工藝參數(shù)如C<,2>H<,2>流量、Ti靶電流、負(fù)偏壓和沉積溫度等對(duì)薄膜顯微硬度和膜/基結(jié)合力的影響，從而得出多弧離子鍍技術(shù)制備T

2、iC膜的最佳工藝為：C<,2>H<,2>流量0.20L/min、沉積溫度300℃、氬氣流量0.02L/min、Ti靶電流60A、沉積時(shí)間60min、負(fù)偏壓250V．在此工藝下制備的TiC薄膜顯微硬度達(dá)到2900HV<,0.05>，膜/基結(jié)合力達(dá)到50N，膜厚約5微米。 論文第二部分主要研究了TiC薄膜的耐磨性并對(duì)其內(nèi)應(yīng)力進(jìn)行了測(cè)定。微量磨損試驗(yàn)表明：TiC薄膜具有比TiN膜更小的摩擦系數(shù)，更優(yōu)異的耐磨性。應(yīng)力測(cè)試結(jié)果表明：TiC