有機(jī)電致發(fā)光器件界面性質(zhì)和復(fù)合效率的初步研究.pdf

1、近幾年來(lái)，有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件的研究日益活躍，而且已經(jīng)有不少產(chǎn)品面世，當(dāng)今研究主要集中在大量開(kāi)發(fā)高EL效率、物理性質(zhì)穩(wěn)定的有機(jī)發(fā)光材料和載流子輸運(yùn)材料，改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)等方面。為了克服其效率低、壽命短、性能不穩(wěn)定的特點(diǎn)，使其達(dá)到實(shí)用化的目標(biāo)，深入研究有機(jī)電致發(fā)光器件界面性質(zhì)及其復(fù)合效率，具有重要的理論意義與應(yīng)用價(jià)值。
　　 本文在前人工作的基礎(chǔ)上，對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件中載流子的注入、輸運(yùn)和復(fù)合發(fā)光過(guò)程，特別是其界面特性進(jìn)行了模擬研究，

2、現(xiàn)分列如下：
　　 1.采用金屬/無(wú)機(jī)半導(dǎo)體界面模型對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件中金屬/有機(jī)半導(dǎo)體界面進(jìn)行了數(shù)值研究。討論了界面處金屬/有機(jī)半導(dǎo)體原子間距與化學(xué)鍵密度對(duì)界面偶極能的影響，分析了界面層電場(chǎng)強(qiáng)度隨化學(xué)鍵密度變化的原因，對(duì)界面偶極能與金屬功函數(shù)之間的關(guān)系給出了合理的解釋。
　　 2．．基于ITO/TPD/Alq/LiF/Al多層器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)計(jì)算給出了外加電壓和器件電流密度的關(guān)系。結(jié)果表明：1)金屬陰極和電子傳輸層之間L

3、iF的插入產(chǎn)生的附加偶極能可降低電子的注入勢(shì)壘和器件的開(kāi)啟電壓；2)過(guò)厚或者過(guò)薄的LiF層會(huì)降低器件性能。最佳LiF厚度介于1.5nm～5nm之間。對(duì)LiF修飾陰極帶來(lái)器件性能的改善給出了比較合理的解釋。
　　 3．采用了陰極注入限制和陽(yáng)極歐姆接觸的雙層器件注入模型，忽略電子漏電流，計(jì)算了器件的復(fù)合效率和復(fù)合區(qū)域?qū)挾?。得到：改變器件結(jié)構(gòu)將導(dǎo)致其電場(chǎng)的重新分布，在保持器件總厚度不變時(shí)，增加空穴傳輸層厚度能增大電子注入，使得復(fù)合區(qū)域