高嶺石、蒙脫石層間原位合成納米銀、氧化鋅.pdf

1、納米銀具有獨(dú)特的化學(xué)性能、光學(xué)性能和電學(xué)性能。可以廣泛應(yīng)用于陶瓷材料、環(huán)保材料、抗菌和涂料等多種領(lǐng)域。納米氧化鋅是一種新型功能材料，在磁、光電、抗菌消毒、紫外線(xiàn)屏蔽等方面具有特殊的性能和用途。 本論文采用化學(xué)還原插層法在高嶺石層間制備了納米銀，首先研究了時(shí)間和溫度對(duì)DMSO插層高嶺石插層率的影響。接著以硝酸銀層間取代，以高嶺石的層間作為反應(yīng)器來(lái)控制銀粒子的大小，借由還原劑水和肼在層間還原出單質(zhì)銀，從而制備Ag/高嶺石插層復(fù)合物。

2、由紅外光譜研究可知，插層作用破壞了層間外羥基間的氫鍵，銀的插入使得高嶺石在2θ=38.1108°～38.3942°之間出現(xiàn)了一個(gè)陡峭Ag(111)的衍射峰。TEM研究表明，Ag已進(jìn)入層間，但粒徑分布較寬，為20-100nm。 采用水熱插層法以DMSO/高嶺石作為前驅(qū)體，PVP(聚乙烯吡咯烷酮)做分散劑，銀氨層間取代，以高嶺石的層間作為反應(yīng)器來(lái)控制銀粒子的大小，制備出Ag/高嶺石插層復(fù)合物。XRD表明，PVP對(duì)高嶺石進(jìn)行了表面改性

3、，促進(jìn)了納米銀粒子在層間的合成，出現(xiàn)明顯的Ag的(111)、 (200)、 (220)、(311)四個(gè)衍射峰，并且出現(xiàn)(111)方向上的擇優(yōu)生長(zhǎng)。根據(jù)小角度出現(xiàn)的(001)衍射峰可知，高嶺石層間距由0.716nm被擴(kuò)大到4.53 nm。TEM直觀地表現(xiàn)了銀在高嶺石層間的形貌，粒度分布范圍為5-50nm。 用水熱插層法以銀氨作為插層體，分別以鈉基和鈣基蒙脫石做載體制備出Ag/蒙脫石插層復(fù)合物，XRD表明，納米銀在蒙脫石層間粒度很小

4、，TEM直觀地表現(xiàn)了Ag/蒙脫石(鈉基)的形貌特征，納米銀粒徑分布較均勻，大部分為1-3nm的小顆粒，個(gè)別顆粒達(dá)到12nm。 利用尿素燃燒放熱同硝酸鋅反應(yīng)生成氧化鋅的原理，以鈉基和鈣基蒙脫石做載體，層間原位還原，制備出ZnO/蒙脫石插層復(fù)合物。鈉基蒙脫石層間距被撐大到2-23nm，表明氧化鋅進(jìn)入蒙脫石層間。 對(duì)高嶺石來(lái)說(shuō)，不加液態(tài)還原劑在層間合成納米金屬較加液態(tài)還原劑合成的分散性較好，顆粒尺度范圍較??；對(duì)蒙脫石來(lái)說(shuō)，鈉基