HEDP和ATMP及其取代物緩蝕阻垢性能的QC-MD研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、運用量子化學密度泛函(DFT)理論,在B3LYP/6-31G﹡水平上,優(yōu)化了ATMP及其取代物和氨基膦酸類分子的分子結(jié)構(gòu),通過計算得出了原子電荷分布、分子最高被占軌道能量(HOMO)、最低空軌道能量(LUMO)、能隙差(ΔE)及Fukui指數(shù)等量子化學參數(shù),并且研究了這些量化參數(shù)和緩蝕阻垢性能之間的構(gòu)效關系。其中ATMP及其取代物中膦酸基團和羧基上的氧原子的電荷和供電子能力與阻垢緩蝕性能相關性較好。氨基膦酸類化合物苯環(huán)的得電子能力與緩蝕

2、性能相關性很好。 運用分子動力學模擬軟件Material Studio中的Discover模塊,在NVT系綜和COMPASS力場下,分別模擬了HEDP和ATMP及其取代物在方解石(104)、(113)、(202)和(102)晶面以及鐵(100)晶面上的相互作用情況,獲得了各體系的結(jié)合能、非鍵作用能、形變能及徑向分布函數(shù)等,探討其阻垢緩蝕作用機理。通過結(jié)合能得到化合物阻垢緩蝕性能的比較,并通過徑向分布函數(shù)發(fā)現(xiàn)阻垢劑中的氧原子與方解

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