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文檔簡介
1、ZnO是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶化合物半導體材料，由于ZnO具有很高的激子束縛能(室溫下為60meV)，激子增益可達到300cm-1，是一種可能的短波長發(fā)光器件材料，在LEDs、LDs等領域有巨大的應用前景。通過摻入Al、Ga等施主雜質可形成性能優(yōu)異的n-ZnO材料，但p-ZnO材料的制備卻較為困難?？赡艿脑蛴袃蓚€：其一是受主雜質在ZnO中的固溶度較低；其二，ZnO薄膜中存在的一些本征施主缺陷(如鋅間隙和氧空位)會對受主雜質產(chǎn)生高度自
2、補償現(xiàn)象。T.Yamamoto等通過對不同摻雜源的ZnO制備過程中系統(tǒng)內(nèi)部Madelung能量理論研究，提出施主-受主共摻雜技術，即通過施主(B、Al、Ga等)、受主(N、P、As等)共摻雜技術可以較容易地實現(xiàn)ZnO的p型轉變。實驗證明這是一種可行的p-ZnO的制備技術，在幾種施主雜質中，Al原材料豐富，價格低廉，如果能實現(xiàn)Al-N共摻制備p-ZnO薄膜，那么對于ZnO材料的實際應用有極其深遠的意義。 浙江大學硅材料國家重點實驗
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