多功能鍍膜機(jī)研制及低維納米功能材料制備研究.pdf

1、近年來(lái)，低維納米材料以其在電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)、力學(xué)和熱學(xué)方面展現(xiàn)出優(yōu)異的特性，從而在納米器件、傳感器、激光器等方面具有應(yīng)用前景而備受關(guān)注。本論文以納米材料的制備和應(yīng)用為背景，以低維納米材料的制備為重點(diǎn)，報(bào)道了一些納米材料領(lǐng)域中前沿研究進(jìn)展和我們的主要工作成果。主要內(nèi)容和創(chuàng)新點(diǎn)如下： Ⅰ.設(shè)計(jì)制造了多功能磁控濺射鍍膜機(jī)。鍍膜機(jī)集直流磁控濺射沉積、射頻磁控濺射沉積、中頻孿生磁控濺射沉積、陰極磁過(guò)濾弧等離子體沉積、蒸發(fā)于一體。既可以沉積

2、金屬、陶瓷、有機(jī)薄膜，還可以沉積超晶格、復(fù)合薄膜。 Ⅱ.研究了反應(yīng)射頻磁控濺射制備氮化銅納米薄膜的霍爾系數(shù)。在室溫條件下，氮化銅薄膜的霍爾系數(shù)和霍爾電阻率隨氮?dú)饬髁康脑黾佣龃?，而霍爾遷移率和載流子濃度則減小。對(duì)同一條件下制備得到的氮化銅納米薄膜而言，在溫度從100 K到300 K的變化區(qū)間，薄膜的霍爾系數(shù)和霍爾電阻率降低，載流子濃度增加而霍爾遷移率基本保持不變。 Ⅲ.采用水熱法，制備得到了正交相、單晶結(jié)構(gòu)的Cu3SbS

3、3納米線，發(fā)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)制備得到的Cu3SbS3納米線具有規(guī)則的形貌，納米線度達(dá)幾十微米但它們的直徑約為20～30 nm。實(shí)驗(yàn)終產(chǎn)物樣品Cu3SbS3中的化合物的價(jià)態(tài)為Cu3+Sb3+S32-，其發(fā)光帶位于364 nm處，其禁帶寬度為2.95 eV。 Ⅳ.采用溶劑熱法，以COCl2·6H2O、Na2S·9H2O、乙二醇和無(wú)水乙醇為原料，在150℃恒溫下制備出CoS2納米粉體，并對(duì)其特征進(jìn)行了表征。實(shí)驗(yàn)制備得到球狀的磁性納米顆粒，其粒經(jīng)