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文檔簡介
1、過去十年間，全球移動通信產業(yè)經(jīng)歷了前所未有的發(fā)展。CMOS工藝雖然直到最近才開始被考慮，但是如今正成為產業(yè)界的主流工藝。例如，在90nm工藝條件下，晶體管的截止頻率已經(jīng)高于100 GHz。這就給射頻工程師提供了很多的選擇余地。CMOS工藝在高頻時主要的問題在于較低的跨導值以及信號通過導電率較低的硅襯底的損耗。
射頻集成電路的一個主要應用在于無線局域網(wǎng)(WLAN)。現(xiàn)今最流行的三個WLAN標準是IEEE802.11a，802.1
2、1b和802.11g。802.11a標準制定于1999年，它工作于5 GHz無須申請的美國國家信息基礎設施(UNII)頻段。UNII頻段包括兩個子頻段：5.15到5.35 GHz，以及5.725到5.825 GHz，兩個子頻段總共提供300 MHz帶寬以及12個每個20 MHz的信道。
本論文主要針對5.2 GHz802.11a WLAN標準設計射頻前端低噪聲放大器。低噪聲放大器的設計包括很多不同指標間的折衷，例如增益，噪聲系
3、數(shù)，功耗，以及輸入輸出阻抗匹配。關于低噪聲放大器噪聲以及線性度的分析將分別在第四章和第五章給出。區(qū)別于常見的冪級數(shù)分析法分析低噪聲放大器線性度，這里將采用Volterra級數(shù)分析法，考慮了高頻時電容以及電感的記憶性對低噪聲放大器線性度的影響。最終設計的低噪聲放大器噪聲系數(shù)為1.35dB，輸入三階交調遮斷點IIP3為7.392 dBm,增益為13.8 dB，功耗為14 mW。該低噪聲放大器使用Agilent EEsof的Advanced
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