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1、納米晶TiO2多孔薄膜作為重要的半導(dǎo)體材料,其光電化學(xué)性質(zhì)研究已得到人們的廣泛關(guān)注,在太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換、光電子器件及光催化等方面具有重要的應(yīng)用。
本文采用浸漬-提拉和原位蒸發(fā)兩種方法進(jìn)行了PS膠晶陣列的自組裝制備。通過(guò)提拉法制備PS微球膠晶時(shí),發(fā)現(xiàn)升高乳液溫度可以促進(jìn)動(dòng)態(tài)提拉下陣列的有序生長(zhǎng)。而且適當(dāng)溫度時(shí),提高乳液中PS球的體積分?jǐn)?shù)可使陣列層數(shù)和有序度得到提高并抑制陣列中斷裂線的產(chǎn)生。原位蒸發(fā)的膠晶組裝是多核過(guò)程,經(jīng)歷了四方排
2、列到密堆積的轉(zhuǎn)變。當(dāng)通過(guò)降低壓強(qiáng)加速蒸發(fā)時(shí),自組裝更加穩(wěn)定,可以在較寬壓強(qiáng)范圍內(nèi)得到有序膠晶。
以Ti(OBu)4為原料,P123為模板劑,HCl為水解抑制劑制備了前驅(qū)體溶膠,通過(guò)浸漬-提拉制膜后,450℃熱處理3h得到介孔結(jié)構(gòu)的銳鈦礦相納米晶TiO2薄膜,晶粒尺寸~10nm。樣品的BET比表面積和總孔體積分別為89.6m2/g和0.18cm3/g,平均孔徑5.7nm。通過(guò)改變水解抑制劑,研究了介孔TiO2的微結(jié)構(gòu)特征。結(jié)
3、果表明,在HCl或AcAc-HCl雙抑制劑的作用下,樣品的比表面積和孔隙率較大,分別為176.3m2/g,139.2m2/g和60%,57%,證實(shí)HCl對(duì)鈦源具有較強(qiáng)的水解抑制作用,可形成鈦低聚物小團(tuán)簇,從而有利于其和PEO基團(tuán)的鍵合,形成較有序的介孔結(jié)構(gòu)TiO2。
采用PS膠晶/P123雙模板,通過(guò)浸漬-提拉/溶膠-凝膠法成膜,450℃熱處理后制備了有序大孔-介孔銳鈦礦TiO2薄膜,晶粒尺寸7.4nm,光學(xué)帶隙3.00e
4、V。浸漬-提拉法灌注PS模板時(shí),有序大孔結(jié)構(gòu)的形成明顯依賴于溶膠濃度。較低濃度的溶膠對(duì)PS潤(rùn)濕性差,導(dǎo)致灌注孔壁不完整。當(dāng)濃度為0.13-0.15M時(shí),大的表面張力和較小的潤(rùn)濕角有利于溶膠灌注,大孔結(jié)構(gòu)有序度高。當(dāng)濃度繼續(xù)升高時(shí),溶膠流動(dòng)性變差,不利于其在PS上的鋪展而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)有序度降低。
對(duì)介孔TiO2進(jìn)行金屬元素Nb、Sb、Ge、Zn和Sn的摻雜,并考察其作為染料敏化太陽(yáng)電池(DSSCs)n-電極的光伏性能。結(jié)果表明,
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