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文檔簡介
1、隨著光纖通信技術(shù)的發(fā)展,人們對單晶光纖的研究越來越深入。a軸向單晶光纖由于其較大的電光系數(shù)和非線性效應(yīng),在外電場調(diào)制,全息存儲和光柵寫入等方面有廣泛的應(yīng)用。人們對 a軸向單晶光纖的研究主要集中在實驗方面,已經(jīng)生長出質(zhì)量很好的a軸向單晶光纖,并對其性質(zhì)做了大量的研究。由于其理論計算非常復(fù)雜,故研究甚少。本文從理論上對a軸向階躍折射率單晶光纖傳輸模式的特征進(jìn)行了詳細(xì)的研究。
從麥克斯韋方程出發(fā),在弱各向異性的條件下,用微擾方法求解
2、了a軸向階躍折射率單晶光纖的電磁場方程。利用光纖的邊界條件,得到橫向電場分量的表達(dá)式和色散方程,數(shù)值模擬和分析了晶纖的色散關(guān)系和傳輸模式的結(jié)構(gòu)特征。發(fā)現(xiàn)晶纖傳輸模式的數(shù)量隨著歸一化頻率的增大而逐漸增多。當(dāng)歸一化頻率一定時,隨著歸一化相位常數(shù)的減小,弱各向異性a軸向階躍折射率單晶光纖的傳輸模式越來越遠(yuǎn)離線偏振的形式。
對于強各向異性 a軸向階躍折射率單晶光纖,在應(yīng)用更加精確的邊界條件的前提下,從僅存在 m階單一基元模式的情形出發(fā)
3、推導(dǎo)出晶纖的色散方程,分別對遠(yuǎn)離截止區(qū)、近截止區(qū)及導(dǎo)模區(qū)的色散方程進(jìn)行了討論,數(shù)值模擬和分析了晶纖的色散關(guān)系和模式特征。發(fā)現(xiàn)強各向異性 a軸向階躍折射率單晶光纖中傳輸?shù)?m階基元模式近似與線偏振模理論中的 m階線偏振(LPmn)模式相對應(yīng)。與 LPmn模對應(yīng)的 m階的基元模式并不是單值的,也就是說同一線偏振??赡艽嬖诤芏嘧幽J剑⑶易幽J降木€偏振程度隨著歸一化相位常數(shù)b的變化而變化。
利用鈮酸鋰晶體的電光效應(yīng),研究了a軸向鈮酸
4、鋰單晶光纖的色散關(guān)系和傳輸模式隨外加電場的變化。數(shù)值模擬和討論了外加電場后a軸向鈮酸鋰單晶光纖傳輸二階基元模式時的色散關(guān)系和模式特征。與外加電場前的情況進(jìn)行比較,發(fā)現(xiàn)傳輸模式的數(shù)量及同一模式的截止頻率和|Ex|和|Ey|峰值的比值都隨外加電場發(fā)生變化??梢酝ㄟ^外加電場來控制模式的傳輸。
研究了基于 a軸向單晶光纖的電光調(diào)制器和光濾波器的模式傳輸特性。a軸向單晶光纖調(diào)制器與光纖激光器構(gòu)成全光纖化光發(fā)射模塊。在未加電場時,晶纖中只
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