GaAs-InP、Si-GaAs異質(zhì)外延生長技術(shù)及其在集成光電子器件中的應(yīng)用.pdf

1、人類通信需求量的急劇增長是光纖通信系統(tǒng)發(fā)展的潛在驅(qū)動力，而新一代光纖通信系統(tǒng)的發(fā)展必然要以新型通信光電子器件作為支撐。當(dāng)前通信光電子器件正處于由分立轉(zhuǎn)向集成的重大變革時(shí)期，而通信光電子集成器件研究所面臨的最突出問題是半導(dǎo)體材料兼容、結(jié)構(gòu)兼容和工藝兼容。 本論文對大失配異質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)行了探討和部分成果總結(jié)，并完成了以下幾個(gè)方面的工作： 1、在GaAs/InP的異質(zhì)外延生長方面，利用低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（LP-MOCV

2、D）技術(shù)，探索了InP低溫緩沖層的最佳生長條件和結(jié)構(gòu)參數(shù)，在GaAs襯底上外延生長出高質(zhì)量的InP材料。 2、制備了單片集成GaAs基長波長諧振腔光探測器。它通過兩步生長法，在GaAs基上異質(zhì)外延生長了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收結(jié)構(gòu)和GaAs/AlAs的分布布拉格反射鏡（DBR）。所制備的器件在1549.4nm處獲得了67.3％的量子效率和17nm的光譜相應(yīng)線寬，同時(shí)InGaAs吸收層厚度僅為200nm。