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文檔簡(jiǎn)介
1、ZnO 納米材料是多功能氧化物半導(dǎo)體材料和納米材料的完美結(jié)合,其在液晶顯示、太陽(yáng)電池、傳感器及紫外發(fā)光器等諸多領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力。超聲噴霧熱解法(USP)是一種簡(jiǎn)單、低成本的薄膜生長(zhǎng)方法,它易于摻雜和實(shí)現(xiàn)大面積生長(zhǎng),目前已獲得較高晶體質(zhì)量的ZnO 薄膜和P型ZnO 薄膜,然而對(duì)納米材料的研究卻很少。 本論文利用USP技術(shù)制備了多種不同形貌的ZnO 納米結(jié)構(gòu),研究了工藝參數(shù)(襯底溫度、霧化速率、襯底類(lèi)型、摻雜)對(duì)納米ZnO 結(jié)
2、構(gòu)性能的影響。通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)、X 射線衍射(XRD)和光致發(fā)光(PL)對(duì)不同條件下生長(zhǎng)的納米ZnO 進(jìn)行了表征。不同襯底溫度的普通玻璃襯底上獲得了一維的ZnO 納米棒。研究發(fā)現(xiàn),襯底溫度對(duì)納米棒的形成很關(guān)鍵。在410℃時(shí)獲得的“鉛筆頭”狀ZnO 納米棒的晶格缺陷較少,結(jié)晶質(zhì)量較好。固定襯底溫度為410℃,微調(diào)霧量和生長(zhǎng)時(shí)間,研究霧化速率對(duì)ZnO 納米棒的影響。 結(jié)果表明,霧化速率為0.267ml/min時(shí)c 軸取向
3、度較好,納米棒純度較高。本系列實(shí)驗(yàn)還得到了二維的納米梳,它是由納米片上長(zhǎng)齒形成的。在Si和FTO 襯底上獲得了ZnO 納米片。測(cè)試發(fā)現(xiàn),F(xiàn)TO 襯底上,410℃得到的納米片的結(jié)晶質(zhì)量和光致發(fā)光特性最優(yōu);對(duì)于Si 襯底來(lái)說(shuō),410℃獲得納米片的結(jié)晶質(zhì)量較好,而光致發(fā)光特性則是420℃時(shí)最優(yōu)。通過(guò)對(duì)ZnO 摻In 獲得了ZnO 納米盤(pán),摻Al 獲得了ZnO 納米花。結(jié)果發(fā)現(xiàn),摻雜元素不僅可以?xún)?yōu)化薄膜的電學(xué)特性,而且對(duì)納米結(jié)構(gòu)的制備有重要的作
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