功率變換器電磁干擾的建模.pdf

1、針對(duì)目前的功率半導(dǎo)體器件的高頻模型不完善,無(wú)法用于傳導(dǎo)EMI仿真的現(xiàn)狀.該文對(duì)典型的兩種功率半導(dǎo)體器件—少子器件PIN二極管和多子器件功率VDMOSFET,進(jìn)行了深入地機(jī)理分析,提出了它們適合于EMI分析的高頻模型.PIN二極管中主要的瞬態(tài)現(xiàn)象是正向電壓恢復(fù)和反向電流恢復(fù),該文采用集總電荷的方法描述了它的動(dòng)、靜態(tài)特性,提出了改進(jìn)的集總電荷的PIN二極管高頻模型,同時(shí)提出了改進(jìn)的曲線擬合模型參數(shù)抽取方法,減少了所需的參數(shù)測(cè)量實(shí)驗(yàn)并提出了參

2、數(shù)抽取的精度.功率MOSFET的開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)特性主要受其極間非線性電容和外部工作條件的影響,在分析了功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中各極間電容變化的基礎(chǔ)上,該文以小信號(hào)LDMOS為內(nèi)核,提出了子電路形式的功率MOSFET高頻模型,所有的模型參數(shù)也都可以利用產(chǎn)品數(shù)據(jù)曲線獲得.功率變換器的傳導(dǎo)EMI以差模干擾和共模干擾兩種模式存在,在對(duì)器件和PCB板高頻建模的基礎(chǔ)上,該文提出了建立差模干擾和共模干擾的精確的時(shí)域電路模型的方法和步驟.這兩種干擾模式的