短期高溫脅迫對(duì)超高產(chǎn)小麥葉片光合特性的影響.pdf

1、本文以超高產(chǎn)小麥新品系01-35和魯麥14(L14)為實(shí)驗(yàn)材料，通過測(cè)定葉綠素?zé)晒鈪?shù)、氣體交換參數(shù)、放氧速率等，研究了高溫脅迫對(duì)這兩個(gè)基因型小麥的光合速率，熒光特性，PSⅡ功能，卡爾文循環(huán)，熱耗散的影響以及高溫解除后兩基因型小麥光合功能的恢復(fù)過程，探索超高產(chǎn)小麥的耐熱機(jī)制。主要結(jié)果如下：1.短期高溫脅迫導(dǎo)致01-35和L14的Pn顯著下降，開花期和成熟期兩基因型小麥之間無顯著差異。灌漿期01-35的Pn顯著高于L14，而且高溫脅迫(低

2、于40℃)下01-35的Pn顯著高于開花期的Pn，推測(cè)灌漿期01-35的光合機(jī)構(gòu)耐高溫能力高于L14。 2.短期高溫脅迫下01-35和L14的Fv/Fm、Fv′/Fm′和ФPSⅡ均顯著下降，開花期兩基因型小麥之間無顯著差異。灌漿期和成熟期01-35的Fv/Fm、Fv′/Fm′和ФPSⅡ均顯著高于L14，表明生育后期尤其是灌漿期和成熟期01-35的PSⅡ耐高溫能力高于L14。 3.開花期溫度高于40℃時(shí)01-35的NPQ降

3、幅顯著低于L14，灌漿期兩基因型小麥之間無顯著差異，成熟期01-35的NPQ降幅又顯著低于L14，表明01-35的與熱耗散有關(guān)的過程耐高溫的能力高于L14。 4.灌漿期溫度為37～43℃時(shí)L14和01-35的QA還原程度(VJ)和還原速率(Mo)均增加，表明QA到QB的電子傳遞受到抑制，但是01-35的VJ和Mo顯著小于L14，表明01-35的電子受體耐高溫的能力高于L14。 5.灌漿期溫度達(dá)46℃時(shí)01-35和L14的

4、VJ和Mo降低，電子受體庫(Area)增大，QA氧化還原次數(shù)(N)增加，表明高溫首先抑制PSⅡ受體側(cè)的電子傳遞，進(jìn)而才是PSⅡ供體側(cè)受到抑制。6.灌漿期高溫脅迫下01-35的TRo/Cso、ETo/Cso顯著高于L14，表明01-35的LHCⅡ仍能捕獲更多的光能，而且將捕獲的光能更多的用于電子傳遞，推測(cè)01-35的LHCⅡ和電子傳遞體耐高溫能力高于L14。 7.對(duì)生長50天的小麥幼苗進(jìn)行43℃高溫脅迫2h，然后置于25℃恢復(fù)?；?/p>