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1、隨著微波電路和半導(dǎo)體材料的發(fā)展,單片微波集成電路(MMIC)技術(shù)日益成熟。MMIC憑借其尺寸小、質(zhì)量輕、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)等一系列優(yōu)點(diǎn),廣泛地應(yīng)用于軍事電子戰(zhàn)、雷達(dá)、寬帶通信、智能交通等系統(tǒng),從軍用到民用,MMIC的應(yīng)用無(wú)所不在。 倍頻器能夠降低電子設(shè)備的主振頻率,擴(kuò)展工作頻段,解決微波頻譜擁擠問(wèn)題;此外,它還是頻率合成器的一個(gè)重要組成部分。單片倍頻器不僅具有以上的作用和特點(diǎn),還結(jié)合了單片微波集成電路的優(yōu)點(diǎn)。在現(xiàn)代的毫米波通
2、信系統(tǒng)中,單片倍頻器比混合電路設(shè)計(jì)的倍頻器更具有優(yōu)勢(shì)。 本論文的主要工作是基于0.15um GaAs PHEMT單片微波集成電路工藝,設(shè)計(jì)和研制14/56 GHz MMIC四倍頻器芯片。該四倍頻器采用有源倍頻方案提高倍頻增益;采用單管FET一階四倍頻電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),有效地減小芯片尺寸;利用四分之一波長(zhǎng)開(kāi)路微帶傳輸線抑制和濾除基波和不需要的諧波。單片四倍頻器的設(shè)計(jì)利用了Advanced Design System(ADS)軟件進(jìn)行電
3、路模擬仿真和版圖設(shè)計(jì)。 本論文設(shè)計(jì)的MMIC四倍頻器在輸入功率為3.5~5dBm時(shí),輸入頻率為14±0.5GHz條件下,其輸出變頻增益為-4.6±0.4dB,最大變頻增益為-4.2dB;輸出信號(hào)以56GHz為中心,3dB帶寬7.1%;基波抑制大于30dBc,二次諧波抑制大于25dBc,三次諧波抑制大于27dBc;芯片的尺寸為1.5mm×1.2mm。該MMIC四倍頻器設(shè)計(jì)滿足預(yù)期目標(biāo),將應(yīng)用于60GHz毫米波頻綜系統(tǒng),提高工作頻率
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