采用緩沖層結構的脈沖功率開關RSD研究.pdf

1、在現(xiàn)代脈沖功率技術領域，高平均功率重復率脈沖功率技術的發(fā)展日益加快，這就對脈沖功率系統(tǒng)中的開關元件提出了更高的要求。脈沖功率開關RSD（Reversely Switched Dynistor）具有正向阻斷電壓高、通流能力強、高di/dt、導通時間短、長壽命和重復率高等特點，在脈沖功率系統(tǒng)中具有廣闊的應用前景。 從結構上看，RSD與普通晶閘管不同之處在于RSD的陽極為P區(qū)和N區(qū)相間排列的結構。RSD是通過N基區(qū)靠近P基區(qū)側的一薄等

2、離子體層觸發(fā)，這可控等離子層是采用將器件上的外加電壓極性作短時的反向來建立的。RSD的導通條件是預充電荷量必須大于臨界預充電荷量。 采用緩沖層結構可以使得采用更薄的硅片厚度即可達到相同的阻斷電壓，從而提高器件效率，通態(tài)和動態(tài)損耗也隨之降低。這一結構必須與透明陽極結構相結合。透明陽極實際上是電子可以從中穿透而泄放的薄而摻雜濃度較低的陽極。在工藝上，可以采用磨角和少子壽命控制技術改善器件的特性。降低載流子壽命的方法主要有摻金、鉑，電