gaas基hbt器件及工藝研究_第1頁
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1、天津大學(xué)碩士學(xué)位論文GaAs基HBT器件及工藝研究姓名：鄭堅斌申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：申云琴劉訓(xùn)春2001.1.1AbstractInthispapertheapplicationofHBTinhigh—speedcircuitandRFICisdiscussed；Thenthefundament，thebasicstructureandthemainclassofHBTareintroduced；Thek

2、eyfabricationprocessofHBTisstudied；ThedifficultiesintheetchingofInGaPemitteraresolved；TheTshapeemittermetalandthegood—performancedevicesarefabricated；FinallytheapplicationofHBTinfiberopticalcommunicationandwirelesscommun

3、icationisdiscussedTherearetwomaindifficultiesintheexperiments：IEtchingistheoneofthekeyprocessinthefabricationofHBTGenerally，thebaselayerisverythin(about600to800A)Inordertoaccessthebase，itisnecessarytoetchthroughabout2000

4、to3000Acapandemitterlayerandstopetchingwithin150AafterreachingbaselayerItisnotveryeasySinceitiseasytogetselectiveetchingbetweenInGaPandGaAs，thefabricationwouldbecontrollable，ifthematerialofemitterisInGaPHowevegInOurexper

5、iments，theInGaPemittercan’tbeetchedusingusualetchingliquorThroughhundredstimesexperiments，wefinallyfindasuitedliquorfortheetchingofInGaPemitter2，SelfalignedfabricationprocesstechnologyisnecessaryforrealizingasmallHBTandt

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