ⅰ.pmma反應(yīng)離子深刻蝕及其側(cè)壁鈍化技術(shù)研究;ⅱ.tinipd形狀記憶合金薄膜制備及其性能研究

1、上海交通大學(xué)博士后學(xué)位論文Ⅰ.PMMA反應(yīng)離子深刻蝕及其側(cè)壁鈍化技術(shù)研究Ⅱ.TiNiPd形狀記憶合金薄膜制備及其性能研究姓名：張叢春申請學(xué)位級別：博士后專業(yè)：@指導(dǎo)教師：丁桂甫20041001上海交通大學(xué)博士后研究報(bào)告第一部分PMMA的反應(yīng)離毛深刻蝕及其側(cè)壁鈍化技術(shù)研究11引言第一章緒論微機(jī)電系統(tǒng)”MEMS“或微光機(jī)電系統(tǒng)”MOEMS”是80年代末期在國際上興起的交叉學(xué)科?！盡EMS”即”MicroElectroMechanicalSy

2、stems”的英文縮寫，又稱微系統(tǒng)，它是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，融合了硅微加工、LIGA(LtGA技術(shù)是德文LithographGaIvaIlfoml】119andAbformug的簡稱)和超精密機(jī)械加工等多種微加工技術(shù)，并應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)構(gòu)成的微型智能系統(tǒng)[13】?！癕OEMS”是微光機(jī)電系統(tǒng)即“MicroOptoElectroMechanicalSystems”，是集成光學(xué)與“MEMS”的結(jié)合。完整的MEMS由咀下五部分構(gòu)成：

3、一是感知外界如力、光、熱、速度等信息的微傳感器；二是控制對象的微執(zhí)行器；三是信號處理與控制電路；四是通訊接口；五是微電源。為了實(shí)現(xiàn)其微型化，對“MEMS”和“MOEMS”的加工工藝提出了很高要求。而微機(jī)械)o日q技術(shù)則是實(shí)現(xiàn)其微系統(tǒng)的加工手段。具有高深寬比，高的陡直度和光滑度的微結(jié)構(gòu)是提高微器件性能如靈敏度，驅(qū)動(dòng)力和位移量等的關(guān)鍵。因此，尋找一種合適的微機(jī)械加工方法以實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)的高深寬比，高的陡直度和光滑度具有重要的實(shí)用意義。El前用于

4、制作具有高深寬比微結(jié)構(gòu)的微機(jī)械加工方法主要包括LIOA技術(shù)，深紫外線光刻，離子柬刻蝕。激光刻蝕等，其中LIGA技術(shù)是最為先進(jìn)的一種，但是由于該技術(shù)需要使用同步輻射光源和特制的掩膜板，加工周期長，費(fèi)用成本高而受到限制；深紫外線光刻技術(shù)也是一種比較常用的微機(jī)械加工技術(shù)，它加工的微結(jié)構(gòu)具有較低的粗糙度，但由于深紫外線的衍射效應(yīng)，使得其加工的微結(jié)構(gòu)的深寬比比較小。另外幾種工藝也有其明顯的不足，如離子束刻蝕由于主要是物理刻蝕，其刻蝕選擇比不可能太