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1、電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文2.45GHzCMOS工藝低噪聲放大器的設(shè)計(jì)姓名:衛(wèi)顏鋒申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師:唐廣20070601AbstractAbstractThisthesis代ali貓theLNAbasedORCMOStechnologywhichisthekeyblockinreceiversfrontendFirstlyLNAisthefirststageinatipicalwirelessreceiverSe
2、condlyLNAmustprovidebigenoughpowergaininordertodepressthenoisefigurefrombackstagesThirdlyaStothehi曲imegra腳SoC,LNAshouldhavelowerpowerconsumptionFourthlywhenbigsignalcomesLNAshouldca哦smalldisto尊ionwhichmeansLNAshouldhaveh
3、ighenoughlinearityFinallyLNAmustlook50inputresistancesintothemput$oureMgItisimportanttotradeofftheseparamete幅andoptimizetheentireperformanceThat’SalsoisthekeypoimtotheLNAdesignThisthesisisbasedontheprojectreceiverchipon2
4、45GIIztheauthorwasresponsiblefortheLNAblockAfullyintegratednarrowbandLNAat245GHzforWLANapplicationwasimplementedinJAZZO35I_tmtechnologywithCadenceIC50designkits11托l(wèi)ayoutofUqAwithESDproteetedisalsodesignedTheresultisneari
5、nternationallevelBesidesacomparisonbetweenCMOSLNAandBJTLNAinTSMCO35IuntechnologywithcascodeinductivedegenerationwasmadeConclusionsaremadeonthatFortheengineerdevelopmentneeds,thispaperdiscussedLNAsdesignationsimulationand
6、testMainlyitincludes:1Analysisandcomparationismadebetweenthedifferentsystemtopolotiesinordertofulfillthe研ANapplicationinSoCdesign2RFICbasicallyindexesandcomponetsmodelsareamlysedespeciallytheMOSFETbecauseofitskeyroletoth
7、ewholecircuitdesign3BasedOnthefourtopologies’Sentreperformancefor245GIIzLNAanlysedthecascodctopologyisadoptedforthecircuitdesignfinally11圯cascodenoisemodelnoiseanalysisandoptimizationa磚doneAfullyintegrated245GI/zLNAcircu
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