黃瓜穴盤(pán)育苗基質(zhì)、穴孔及施肥技術(shù)的研究.pdf

1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文黃瓜穴盤(pán)育苗基質(zhì)、穴孔及施肥技術(shù)的研究姓名：孫曉梅申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：蔬菜學(xué)指導(dǎo)教師：呂家龍徐志豪20040501浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文根系的發(fā)育、干物質(zhì)的積累和壯茁指數(shù)的提高，提高到1000mg／L時(shí)除有助于根系發(fā)育外，在其它方面正面效果不明顯。200mg／L氮、鉀處理的黃瓜苗素質(zhì)和養(yǎng)分吸收與400mg／L氮、鉀處理的沒(méi)有顯著差別。黃瓜幼苗植株中的磷濃度隨磷肥用量的增加而增加，但高磷抑制幼苗對(duì)氮、鉀的吸收。從施肥

2、量對(duì)光合作用影響的角度考慮，有效氮鉀提高到200rag／t，有效磷提高到100mg／L時(shí)，能使黃瓜穴盤(pán)苗的凈光合速率、飽和光及C02條件下的最大光合速率、表觀量子產(chǎn)量、羧化效率升高，光補(bǔ)償點(diǎn)、C02補(bǔ)償點(diǎn)降低。然而，當(dāng)有效氮鉀達(dá)到400mg／L、有效磷達(dá)到1000mg／L時(shí)，上述光合指數(shù)變化呈現(xiàn)相反趨勢(shì)。實(shí)際上，當(dāng)有效磷達(dá)到500mg／L時(shí)，各處理的光飽和點(diǎn)就開(kāi)始下降。因此，用此基質(zhì)進(jìn)行黃瓜穴盤(pán)育苗時(shí)，最佳的N、P205、K20的施用量