36598.地幔礦物電導(dǎo)率的高溫高壓實(shí)驗(yàn)研究

1、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文地幔礦物電導(dǎo)率的高溫高壓實(shí)驗(yàn)研究姓名：張寶華申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：固體地球物理學(xué)指導(dǎo)教師：吳小平20091101摘要(1350K)，高的活化焓(226274eV)表明其導(dǎo)電機(jī)制為離子電導(dǎo)率。外推目前的實(shí)驗(yàn)結(jié)果并聯(lián)合已有干的橄欖石電導(dǎo)率數(shù)據(jù)建立了上地幔電導(dǎo)率一深度剖面，估算出上地幔可能的A1203含量和Fe3／∑FeL[5值，發(fā)現(xiàn)含Al斜方輝石的電導(dǎo)率不能解釋上地幔軟流圈頂部的高電導(dǎo)率異常。5在溫度50010

2、00K，壓力3GPa、頻率10610以Hz和控制氧逸度MoM002條件下，使用復(fù)阻抗譜方法首次系統(tǒng)地研究了水含量對(duì)斜方輝石電導(dǎo)率的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示含水斜方輝石的電導(dǎo)率主要由水含量決定，水含量從0005增加到0641wt％，電導(dǎo)率呈現(xiàn)出系統(tǒng)性的增加，相應(yīng)的活化焓從095eV減dN059eV。小的活化焓以及電導(dǎo)率隨水含量的變化趨勢(shì)，意味著含水斜方輝石在1000K以下以質(zhì)子(H)導(dǎo)電為主。結(jié)合已有含水橄欖石和瓦茲利石的電導(dǎo)率數(shù)據(jù)，外推本文的