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1、<p> 《電力電子課程綜合實(shí)訓(xùn)》</p><p><b> 課程設(shè)計(jì)</b></p><p><b> 2015年6月</b></p><p> 題 目:MOSFET升壓斬波電路設(shè)計(jì) </p><p> 專 業(yè):
2、電氣工程及其自動(dòng)化 </p><p> 班 級(jí):</p><p> 指導(dǎo)教師 :</p><p><b> 目 錄</b></p><p><b> 第一章 前言1</b></p><p><
3、b> 1.1概述1</b></p><p> 1.2 MOSFET介紹1</p><p> 1.3 PWM控制芯片SG3525介紹1</p><p> 第二章 MOSFET升壓斬波電路設(shè)計(jì)2</p><p> 2.1 設(shè)計(jì)要求2</p><p> 2.2設(shè)計(jì)課題總體方案介紹及工作
4、原理說(shuō)明2</p><p> 2.1.1總體方案2</p><p> 2.3 設(shè)計(jì)方案各電路簡(jiǎn)介2</p><p> 2.3.1電容濾波單相不可控整流電路2</p><p> 2.3.2 MOSFET斬波電路3</p><p> 2.3.3觸發(fā)電路3</p><p> 2
5、.3.3保護(hù)電路3</p><p> 第三章 MOSFET升壓斬波主電路設(shè)計(jì)4</p><p> 3.1電容濾波單相不可控整流電路4</p><p> 3.1.1電路原理圖4</p><p> 3.1.2電路原理及其工作波形4</p><p> 3.1.3主要的數(shù)量關(guān)系5</p>&
6、lt;p> 3.2 MOSFET升壓斬波電路5</p><p> 3.2.1 電路原理圖5</p><p> 3.2.2電路原理及其工作波形5</p><p> 3.2.3主要的數(shù)量關(guān)系6</p><p> 第四章 控制電路與保護(hù)電路設(shè)計(jì)7</p><p> 4.1 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路7
7、</p><p> 4.1.1驅(qū)動(dòng)電路原理圖7</p><p> 4.1.2 電路工作原理7</p><p> 4.2 保護(hù)電路8</p><p> 4.1.1變壓器的保護(hù)8</p><p> 第五章 總體電路原理圖及其說(shuō)明9</p><p> 5.1總體電路原理圖9&l
8、t;/p><p> 5.2 MATLAB仿真電路圖9</p><p> 5.3仿真波形圖10</p><p> 5.4波形分析11</p><p><b> 參考文獻(xiàn)13</b></p><p> 第六章 心得體會(huì)14</p><p><b>
9、前言</b></p><p><b> 1.1概述</b></p><p> 直流斬波電路作為將直流電變成另一種固定電壓或可調(diào)電壓的DC-DC變換器,在直流傳動(dòng)系統(tǒng)、充電蓄電電路、開(kāi)關(guān)電源、電力電子變換裝置及各種用電設(shè)備中得到普通的應(yīng)用.隨之出現(xiàn)了諸如降壓斬波電路、升壓斬波電路、升降壓斬波電路、復(fù)合斬波電路等多種方式的變換電路。MOSFET升壓斬波電路
10、又稱為boost變換器,它對(duì)輸入電壓進(jìn)行升壓變換。通過(guò)控制電路的占空比即通過(guò)MOSFET來(lái)控制升壓斬波電路的輸出電壓。</p><p> 直流斬波技術(shù)已被廣泛用于開(kāi)關(guān)電源及直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)中,使其控制獲得加速平穩(wěn)、快速響應(yīng)、節(jié)約電能的效果。全控型電力電子器件MOSFET在牽引電傳動(dòng)電能傳輸與變換、有源濾波等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。本文設(shè)計(jì)的是一個(gè)可調(diào)的直流升壓斬波電源,利用MOSFET升壓直流斬波電路原理,將直流電
11、變?yōu)榱硪还潭妷夯蚩烧{(diào)電壓的直流電,也稱為直流-直流變換器(DC/DC Converter)。直流斬波電路的控制電路用PWM控制芯片SG3525為核心構(gòu)成,控制電路輸出占空比可調(diào)的矩形波。</p><p> 1.2 MOSFET介紹</p><p> MOSFET是金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。MOSFET依
12、照其“通道”的極性不同,可分為N溝道型與P溝道型的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。</p><p> 1.3 SG3525介紹</p><p> 隨著電能變換技術(shù)的發(fā)展,功率MOSFET在開(kāi)關(guān)變換器中開(kāi)始廣泛使用,為此美國(guó)硅通用半導(dǎo)體公司(Silicon General)推出SG
13、3525。SG3525是用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET。</p><p> SG3525是電流控制型PWM控制器,所謂電流控制型脈寬調(diào)制器是按照接反饋電流來(lái)調(diào)節(jié)脈寬的。在脈寬比較器的輸入端直接用流過(guò)輸出電感線圈的信號(hào)與誤差放大器輸出信號(hào)進(jìn)行比較,從而調(diào)節(jié)占空比使輸出的電感峰值電流跟隨誤差電壓變化而變化。由于結(jié)構(gòu)上有電壓環(huán)和電流環(huán)雙環(huán)系統(tǒng),因此,無(wú)論開(kāi)關(guān)電源的電壓調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率和瞬態(tài)響應(yīng)特性都有提高,是目前比
14、較理想的新型控制器。</p><p> 第2章 MOSFET升壓斬波電路設(shè)計(jì)</p><p><b> 2.1 設(shè)計(jì)要求</b></p><p> 1、輸入直流電壓:Ud=50V</p><p> 2、輸出功率:300W</p><p> 3、開(kāi)關(guān)頻率5KHz</p>&l
15、t;p> 4、占空比10%~50%</p><p> 5、輸出電壓脈率:小于10%</p><p> 2.2設(shè)計(jì)課題總體方案介紹及工作原理說(shuō)明</p><p><b> 2.1.1總體方案</b></p><p> 圖1 MOSFET升壓斬波電路基本組成框圖</p><p>
16、2.3 設(shè)計(jì)方案各電路簡(jiǎn)介</p><p> 2.3.1電容濾波單相不可控整流電路</p><p> 電容濾波單相不可控整流電路常用于小功率單相交流輸入場(chǎng)合。本設(shè)計(jì)中采用的是單相橋式接法,其作用是將直接輸入的220V交流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槲覀兯璐笮〉闹绷麟妷?,然后提供給MOSFET升壓斬波部分作為輸入。</p><p> 2.3.2 MOSFET斬波電路</p
17、><p> MOSFET斬波電路是被設(shè)計(jì)的核心部分,而其核心器件又是MOSFET。本部分是通過(guò)觸發(fā)電路控制MOSFET的開(kāi)啟與關(guān)斷,再利用電感和電容的儲(chǔ)能作用實(shí)現(xiàn)升壓功能的。</p><p><b> 2.3.3觸發(fā)電路</b></p><p> 本設(shè)計(jì)的觸發(fā)電路是基于SG3525控制芯片設(shè)計(jì)的。由于SG3525的輸出驅(qū)動(dòng)電路是低阻抗的,而功
18、率MOSFET的輸入阻抗很高,因此輸出端管腳11和輸出端B管腳與MOSFET的柵極之間無(wú)須串接限流電阻和加速電容,就可以直接推動(dòng)功率MOSFET。</p><p><b> 2.3.3保護(hù)電路</b></p><p> 鑒于電源電路存在一些不穩(wěn)定因素,而設(shè)計(jì)用來(lái)防止此類不穩(wěn)定因素影響電路效果的回路稱作保護(hù)電路。比如有過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、空載保護(hù)、短路保護(hù)
19、等。保護(hù)電路是防止電壓或電流過(guò)大造成元器件的的損壞而導(dǎo)致電路不能正常工作。</p><p> 第3章 MOSFET升壓斬波主電路設(shè)計(jì)</p><p> 3.1電容濾波單相不可控整流電路</p><p> 3.1.1電路原理圖</p><p><b> 如圖2</b></p><p> 圖
20、2 電容濾波單相不可控整流電路圖</p><p> 3.1.2電路原理及其工作波形</p><p> 在的正半軸過(guò)零點(diǎn)至wt=0的期間,因?yàn)椹?故二極管均不導(dǎo)通,此階段電容C向R放電,提供負(fù)載所需的電流,同時(shí)下降。至wt=0之后,將超過(guò),使得VD1和VD4開(kāi)通,=,交流電源向電容充電,同時(shí)向負(fù)載R供電,如圖3。</p><p> 圖3 電容濾波單相不可控整
21、流電路波形圖</p><p> 3.1.3主要的數(shù)量關(guān)系</p><p><b> 1.輸出電壓平均值</b></p><p> 空載時(shí),R=∞,輸出電壓最大,=2.</p><p> 重載時(shí),R很小,電容放電很快,幾乎失去儲(chǔ)能作用。隨著負(fù)載加重,U逐漸趨近于0.9,即趨近于電阻負(fù)載特性。</p>
22、<p> 在設(shè)計(jì)時(shí)根據(jù)負(fù)載的情況選擇電容C,使 , T為交流電源的周期,此時(shí)輸出電壓為</p><p><b> ?。?)</b></p><p> 則 (2)</p><p><b> (3)</b></p><p>
23、 3.2 MOSFET升壓斬波電路</p><p> 3.2.1 電路原理圖</p><p><b> 如圖4</b></p><p> 圖4 MOSFET升壓斬波電路</p><p> 3.2.2電路原理及其工作波形</p><p> 假設(shè)電路中電感L和電感C的值很大。</p
24、><p> 當(dāng)MOS管處于通態(tài)時(shí),電源E向電感L充電,當(dāng)充電電流基本恒定為,同時(shí)電容C上的電壓向負(fù)載R供電。因?yàn)镃的值很大,基本保持輸出電壓u0為恒值。</p><p> 當(dāng)MOS管處于斷態(tài)時(shí),電源E和電感L共同向電容C充電并向負(fù)載R提供能量。</p><p> 設(shè)MOS管處于通態(tài)的時(shí)間為,此期間電感L上積蓄的能量為。</p><p>
25、設(shè)MOS管處于斷態(tài)的時(shí)間為,此期間電感L釋放的能量為</p><p> 當(dāng)電路工作處于穩(wěn)態(tài)時(shí),一個(gè)周期T中電感積蓄的能量與釋放的能量相等,</p><p> 即 </p><p><b> ?。?)</b></p><p><b> 化簡(jiǎn)得 </b></p>
26、<p><b> ?。?)</b></p><p><b> 波形如圖5</b></p><p> 圖5 MOSFET升壓斬波電路波形</p><p> 3.2.3主要的數(shù)量關(guān)系</p><p> 用占空比的形勢(shì)表示輸出電壓</p><p><b&
27、gt; ?。?)</b></p><p> 本設(shè)計(jì)中取占空比α=50%,則</p><p><b> ?。?)</b></p><p><b> 輸出電流的平均值為</b></p><p><b> (8)</b></p><p>
28、負(fù)載電阻的阻值為 </p><p> R=75Ω (9)</p><p> 第4章 控制電路與保護(hù)電路設(shè)計(jì)</p><p> 4.1 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路</p><p> 4.1.1驅(qū)動(dòng)電路原理圖</p><p><b> 如圖6</
29、b></p><p> 圖6 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路圖</p><p> 4.1.2 電路工作原理</p><p> SG3525是電流控制型PWM控制芯片,所謂電流控制型脈寬調(diào)制器是按照接反饋電流來(lái)調(diào)節(jié)脈寬的。在脈寬比較器的輸入端直接用流過(guò)輸出電感線圈的信號(hào)與誤差放大器輸出信號(hào)進(jìn)行比較,從而調(diào)節(jié)占空比使輸出的電感峰值電流跟隨誤差電壓變化而變化。由于結(jié)構(gòu)
30、上有電壓環(huán)和電流環(huán)雙環(huán)系統(tǒng),因此,無(wú)論開(kāi)關(guān)電源的電壓調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率和瞬態(tài)響應(yīng)特性都有提高,是目前比較理想的新型控制器。</p><p> 當(dāng)SG3525芯片工作時(shí),會(huì)從輸出端口引腳11和引腳14輸出PWM信號(hào)。由于SG3525的輸出驅(qū)動(dòng)電路是低阻抗的,而功率MOSFET的輸入阻抗很高,因此輸出端引腳11和引腳與MOSFET的柵極之間無(wú)須串接限流電阻和加速電容,就可以直接推動(dòng)功率MOSFET。</p&g
31、t;<p><b> 4.2 保護(hù)電路</b></p><p> 4.1.1變壓器的保護(hù)</p><p><b> 1.參數(shù)計(jì)算</b></p><p><b> 變壓器二次側(cè)電流為</b></p><p> (10) </
32、p><p> 電流有效值 1.51.57A=2.355A (11) </p><p> 考慮有一定的余量,F(xiàn)U2可以選用5A的熔斷器</p><p> 變壓器的變壓比為 110∶21</p><p> 變壓器一次側(cè)電流 (12) </p><
33、;p> 考慮有一定的余量,F(xiàn)U1可以選用3A</p><p> 2.變壓器保護(hù)電路原理圖</p><p><b> 如圖7</b></p><p> 圖7 變壓器保護(hù)電路原理圖</p><p> 第5章 總體電路原理圖及其說(shuō)明</p><p> 5.1總體電路原理圖</p
34、><p><b> 如圖8</b></p><p> 圖8 總體電路原理圖</p><p> 5.2 MATLAB仿真電路圖</p><p><b> 如圖9</b></p><p> 圖9 MATLAB仿真電路圖</p><p><b
35、> 5.3仿真波形圖</b></p><p><b> 如圖10</b></p><p> 圖10 MATLAB仿真波形圖</p><p><b> 占空比仿真圖</b></p><p><b> 輸出電流仿真圖</b></p>&l
36、t;p><b> 輸出電壓仿真圖</b></p><p><b> 5.4波形分析</b></p><p> 輸出電壓U=100V</p><p> 輸出電壓范圍98V~101V</p><p><b> 電壓脈率</b></p><p>
37、;<b> (13) </b></p><p><b> (14) </b></p><p> 經(jīng)計(jì)算可知,輸出電壓脈率小于10%,滿足設(shè)計(jì)要求。</p><p><b> 參考文獻(xiàn)</b></p><p> [1] 康華光,陳大欽.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) [M] .北京:
38、高等教育出版社,2006.8</p><p> Kang youhua, Chen daqin. Analog elegtronic technology foundation [M] .Beijing: Higher education press, 2006. 8 (in chinese)</p><p> [2] 李源生.電路與模擬電子技術(shù) [M] .成都:電子工業(yè)出版社,20
39、07.10</p><p> Li yuansheng. Circuit and analog technology [M] .Chengdu: Electronic industry press, 2007. 8(in chinese)</p><p> [3] 王趙安,劉進(jìn)軍.電力電子技術(shù) [M] .北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2008.12</p><p>
40、Wang zhaoan, Liu zhijun. Electric power and electronic technology [M] .Chengdu: Electronic industry press, 2007. 12(in chinese)</p><p><b> 第6章 心得體會(huì)</b></p><p> 本次的電力電子課程設(shè)計(jì)中,我們小組三人
41、查閱了很多資料,向老師請(qǐng)教才得以解決。這讓我們了解到課本知識(shí)和實(shí)踐設(shè)計(jì)還是有很大的差別,這更加讓我理解了真理出自實(shí)踐這句名言的可貴之處,也知道實(shí)踐是檢驗(yàn)真理的唯一標(biāo)準(zhǔn)。我門(mén)懂得了要完成一個(gè)電路的設(shè)計(jì),理論基礎(chǔ)是根基,實(shí)踐操作是完成事物的重要部分,而創(chuàng)新能力則決定了一個(gè)電路的價(jià)值,因?yàn)樵O(shè)計(jì)一個(gè)電路,絕不是簡(jiǎn)單的按課本的電路圖進(jìn)行簡(jiǎn)單的拼湊,我們要進(jìn)行電路各個(gè)元件參數(shù)的計(jì)算,這個(gè)涉及我們所掌握的理論知識(shí),元件的計(jì)算是設(shè)計(jì)中較為重要的一部分,
42、計(jì)算準(zhǔn)確,則設(shè)計(jì)出來(lái)的電路誤差不大,否則,設(shè)計(jì)出來(lái)的電路性能指標(biāo)根要求相差甚遠(yuǎn)。最困難的是當(dāng)電路出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)如何檢測(cè)出錯(cuò)誤之處,如何排除錯(cuò)誤,它考驗(yàn)了我們?nèi)绾芜\(yùn)用理論知識(shí)和實(shí)際的調(diào)試的能力,另外,通過(guò)這次課程設(shè)計(jì),我們掌握了常用元件的識(shí)別和測(cè)試,熟悉了常用的儀器,了解了電路的連接,掌握解決電路中所出現(xiàn)問(wèn)題的方法,鞏固了基礎(chǔ),提高了實(shí)際操作技能,并養(yǎng)成注重設(shè)計(jì),追求創(chuàng)新的思維習(xí)慣??偟膩?lái)說(shuō),這次的課程設(shè)計(jì)真正培養(yǎng)了我們分析問(wèn)題,解決問(wèn)題的能
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