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文檔簡介
1、發(fā)光二極管(light emitting diode,LED),機電工程學院 朱青青,本節(jié)知識點,半導體 ——導電能力介于導體和絕緣體之間,物質根據(jù)其導電能力(電阻率)分,,1.半導體基礎知識,最常用的半導體材料,原子結構示意圖,平面結構,立體結構,本征半導體,*本征半導體——完全純凈的半導體(提純的晶體),本征激發(fā)產生電子和空穴,自由電子,空穴,載流子,在外電場作用下,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
2、,,,,在外電場作用下,,在外電場作用下,,,,,,,,,,,,,,,在外電場作用下,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,價電子填補空穴而使空穴移動,形成空穴電流,在外電場作用下,但是本征半導體中的自由電子和空穴的數(shù)量極少,所以可以在里面摻入微量雜質(元素),使其導電性能增強。,所以就有了P型半導體和N型半導體,2.P型半導體(摻入3個價電子元素),2.N型半導體(摻入5個價電子元素),3.PN結,P型區(qū),N型區(qū),(2
3、)隨著內電場由弱到強的建立,少子漂移從無到有,逐漸加強,而擴散運動逐漸減弱, 形成平衡的PN結。,(1)多子的擴散運動產生空間電荷區(qū)建立內電場,(1)PN結(PN Junction)的形成,多子的擴散,多子的擴散,P型半導體和N型半導體結合面的特殊薄層,17,,,,(2)PN結的正向特性(外加正向電壓),P,N,,內電場,,外電場,,A、正向偏壓的接法:P區(qū)接高電位,N區(qū)接低電位,B、正向偏壓削弱內電場,有利多子的擴散運動,使PN結空間
4、電荷區(qū)變窄;,,,PN結為導通狀態(tài),,,,,,18,D、反向偏壓PN結為截止狀態(tài),外電路電流接近為O,PN結呈現(xiàn)的反向電阻很大,,,,P,N,,內電場,,,A、反向偏壓的接法:P區(qū)接低電位,N區(qū)接高電位,B、反向偏壓內電場增強,不利多子擴散運動,有利于少子的漂移運動,形成反向電流IR,IR很小,硅管為納安數(shù)量級,鍺管為微安數(shù)量級。,,,,,,I少子,PN結為截止狀態(tài),,,,,C、反向偏壓,使PN結空間電荷區(qū)變寬。,D、反向偏壓PN結為截
5、止狀態(tài),外電路電流接近為O,PN結呈現(xiàn)的反向電阻很大,(3)PN結的反向特性(外加反向電壓),4.發(fā)光二極管的工作原理,將PN結加上相應的電極引線和管殼,就成為二極管。,發(fā)光二極管的工作原理,半導體發(fā)光二極管的結構示意圖,發(fā)光二極管,是利用正向偏置PN結中電子與空穴的復合輻射發(fā)光的,是自發(fā)輻射發(fā)光。,光的顏色視做成PN結的材料和發(fā)光的波長而定,而波長與材料濃度有關。如采用磷砷化鎵可以發(fā)出紅光或黃光;采用磷化鎵 則發(fā)出綠光。,LED應用,
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