ge-ga-s玻璃薄膜制備及退火工藝的影響【文獻(xiàn)綜述】

1、畢業(yè)設(shè)計(jì)文獻(xiàn)綜述畢業(yè)設(shè)計(jì)文獻(xiàn)綜述通信工程通信工程GeGaSGeGaS玻璃薄膜制備及退火工藝的影響玻璃薄膜制備及退火工藝的影響摘要：摘要：熱蒸發(fā)法具有較長的歷史在實(shí)驗(yàn)室里研究得比較透徹形成了許多成熟的工藝，能制備出很多符合光器件要求的薄膜。國內(nèi)外很多研究機(jī)構(gòu)都對(duì)熱蒸發(fā)參數(shù)對(duì)薄膜的影響進(jìn)行了研究，并取得了很多的成果。關(guān)鍵字：關(guān)鍵字：熱蒸發(fā)；熱退火；鍺鎵硫薄膜一、背景一、背景光子代替電子作為傳輸信息的載體是歷史發(fā)展的必然趨勢(shì)。雖然以光纖通信為

2、代表的光子技術(shù)在信息傳輸領(lǐng)域獲得了蓬勃的發(fā)展，獲得了Tbits的高傳輸速率，但是光信息處理的核心部分依然依賴著微電子技術(shù)和集成技術(shù)?！?】光電信號(hào)轉(zhuǎn)換能力的滯后和電子線路傳輸速度的限制，成了制約信息傳輸容量的重要瓶頸。因此，開發(fā)新型光器件以推動(dòng)全光網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展已成了人們的共識(shí)。【14】光器件的開發(fā)關(guān)鍵在于新材料和新技術(shù)的運(yùn)用。硫化物光學(xué)薄膜在新型光器件上有著廣泛的應(yīng)用前景?！?】由于硫化物玻璃在光敏介質(zhì)中具有大折射率，和很好的光敏性和超快

3、的三階非線性和低雙光子吸收和無自由載體吸收的特性，這些性質(zhì)非常適合全光信號(hào)的發(fā)生設(shè)備，廣泛應(yīng)用于2R信號(hào)再生，脈沖壓縮和帶寬轉(zhuǎn)換中。真空蒸發(fā)是制備光學(xué)薄膜的一種物理方法。該方法通常將真空室的本底真空優(yōu)于102Pa，然后采用加熱的方法將被蒸發(fā)物質(zhì)蒸發(fā)后沉積在光滑的基片上，得到相應(yīng)的納米薄膜。真空蒸發(fā)沉積具有材料純度高、結(jié)晶好、粒度可控的特點(diǎn)，但技術(shù)條件高。主要的蒸發(fā)源有：電阻加熱蒸發(fā)、高頻感應(yīng)加熱蒸發(fā)、輻射加熱蒸發(fā)、離子束加熱蒸發(fā)等。在光

4、學(xué)薄膜的制備過程中被廣泛采用。二、國內(nèi)外研究現(xiàn)狀二、國內(nèi)外研究現(xiàn)狀國內(nèi)外各研究單位對(duì)制備化合物光學(xué)薄膜的研究多集中在各種制備參數(shù)對(duì)薄膜性能的影響，例如：退火溫度，不同靶材的組分，來研究薄膜的組分，厚度，均勻性，表面平整度等參數(shù)。【7】其中薄膜的組分可以通過通過X射線光電子能譜確認(rèn)、膜層的表面形貌和粗糙度可以利用掃描電子顯微鏡和掃描探針顯微鏡分別分析?！?】薄膜層不同區(qū)域的厚度和折射率可以利用棱鏡耦合儀或橢圓偏振儀測(cè)量。例如權(quán)乃成，高斐等

5、人用熱蒸發(fā)法制備ZnS薄膜并研究了不同基低溫度對(duì)薄膜表面粗糙程度和透射光譜的影響；【16】上海大學(xué)馬季，朱興文等人利用射頻磁控濺射法，通過多次短時(shí)沉積和熱處理工藝，以二氧化硅為襯底在不同射頻功率下制備了ZnO薄膜，探討了射頻功率對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)，光及電性能等方面的影響。DongHoKimEungsunByonGunHwanLeeSunglaeCho研究析，利用matlab，igin等軟件計(jì)算出該薄膜的光學(xué)常數(shù)：計(jì)算折射率，其中??12122s

6、nNNn?????????，；2122MmssMmTTnNnTT????12111sssnTT?????????然后利用以上數(shù)據(jù)計(jì)算膜厚：，其中；2mmmd???mmxmxmmmxxnmnn????????然后與實(shí)驗(yàn)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行比較，觀察數(shù)據(jù)是否匹配。五、參考文獻(xiàn)五、參考文獻(xiàn)[1]干福熹光子學(xué)材料及其發(fā)展[J]材料科學(xué)與工程，1998，16(2):17[2]馮端，師昌緒，劉治國材料科學(xué)導(dǎo)論[M]北京：化學(xué)工業(yè)出版社，200239740

7、7[3]徐建，夏海平，張約品，等不同先驅(qū)體溶膠凝膠法制備的硫化鍺玻璃薄膜[J]硅酸鹽學(xué)報(bào)，2004，32，（8）：1029—1032[4]賴發(fā)春瞿燕蓋榮權(quán)反應(yīng)磁控濺射制備五氧化二鈮光學(xué)薄膜福建師范大學(xué)學(xué)報(bào)200420(4):4649[5]朱海玲直流反應(yīng)磁控濺射制備氧化亞銅薄膜[J]201010(4):111114[6]周繼承，陳宇，趙保星磁控濺射制備二氧化鈦薄膜及其光學(xué)特性研究[J]應(yīng)用科技，2010，37，（6）：6064[7]Y.Z

8、.LiX.D.GaoC.YangF.Q.HuangTheeffectsofsputteringpoweronopticalelectricalpropertiesofcopperselenidethinfilmsdepositedbymagronsputtering[J]JournalofAlloysCompounds200818(2):623627[8]L.ReijnenB.MeesterF.deLangeComparisonofCu

9、xSFilmsgrownbyatomiclayerdepositionchemicalvapdepositionChem.Mater，17(2005)：2724–2728[9]劉啟明，干福熹，顧冬紅激光作用下二硫化鍺晶半導(dǎo)體薄膜的性能及結(jié)構(gòu)變化[J]無機(jī)化學(xué)材料報(bào)，2007，17，（4）：805810[10]郝正同，謝泉，楊子義磁控濺射法中影響薄膜生長的因素及作用機(jī)理研究[J].貴州大學(xué)學(xué)報(bào)201027(1):6266[11]司磊，玉霞