2018年江蘇高端裝備研制趕超工程

1、2018年江蘇省高端裝備研制趕超工程項目申報指南根據(jù)《江蘇省高端裝備研制趕超工程實(shí)施方案》，現(xiàn)制定2018年江蘇省高端裝備研制趕超工程項目招標(biāo)指南如下：一、前沿新材料制造裝備領(lǐng)域一、前沿新材料制造裝備領(lǐng)域?qū)ｎ}一：專題一：12英寸半導(dǎo)體硅單晶爐英寸半導(dǎo)體硅單晶爐1.總體要求總體要求通過自主研發(fā)，掌握先進(jìn)成熟的單晶生長工藝，開發(fā)出適用半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上游原料生產(chǎn)的設(shè)備，形成從設(shè)備到單晶生長熱場與工藝的整套解決方案。單晶爐拉晶過程要求全自

2、動控制，工藝穩(wěn)定性好，能耗低。目標(biāo)產(chǎn)品具有自主知識產(chǎn)權(quán)，整體技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平，并符合行業(yè)現(xiàn)行相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。2.關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)單晶棒直徑：≥12英寸；晶向：100，111，110；晶體直徑控制范圍：2mm1000mm；等徑功率：≤65kW；熱場：≥32英寸；一次裝料量：≥400kg；主要熱場部件壽命：180爐次。專題二：硅片智能在線檢測分選設(shè)備專題二：硅片智能在線檢測分選設(shè)備1.總體要求總體要求通過自主研發(fā)，實(shí)現(xiàn)光伏硅片幾何尺寸

3、和線痕、翹曲、崩缺、表面瑕疵、隱裂、電性能等的高速檢測和分選，可專題四：分子束外延生長專題四：分子束外延生長—掃描隧道顯微鏡掃描隧道顯微鏡(MBESTM)集成設(shè)備集成設(shè)備1.總體要求總體要求研制兼具STM、MBE產(chǎn)品的所有功能的分子束外延生長—掃描隧道顯微鏡(MBESTM)集成設(shè)備，通過原位生長、原位顯微技術(shù)，對薄膜生長過程進(jìn)行結(jié)構(gòu)和形貌的表征監(jiān)控，實(shí)現(xiàn)在高真空環(huán)境下，在MBE內(nèi)實(shí)施樣品的制備，并將樣品從MBE到STM進(jìn)行精確傳遞，應(yīng)用

4、STM對樣品表面進(jìn)行原子分辨級別的實(shí)空間成像。目標(biāo)產(chǎn)品具有自主知識產(chǎn)權(quán)，整體技術(shù)達(dá)到國際同類產(chǎn)品先進(jìn)水平。2.關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)1）掃描隧道顯微鏡（STM）的性能指標(biāo)本底真空：≤21010mbar；漏率：≤1012mbarLs；X、Y方向分辨率：≤0.1nm（大氣環(huán)境中、室溫下，高定向熱解石墨的原子分辨率）；Z方向分辨率：≤0.01nm（大氣環(huán)境中、室溫下，高定向熱解石墨的原子分辨率）；X、Y方向最大掃描范圍：≥2μm2μm；Z方