天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱

1、天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱科目編號(hào)：0502科目名稱：半導(dǎo)體物理一、考試的總體要求一、考試的總體要求半導(dǎo)體物理為微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)基礎(chǔ)課，考試總分為100分。半導(dǎo)體物理要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體物理的基本理論、基本概念和方法，為進(jìn)一步學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件理論研究、器件制備、工藝和器件仿真，和集成電路設(shè)計(jì)等研究方向打下基礎(chǔ)。二、考試的內(nèi)容及比例二、考試的內(nèi)容及比例考試內(nèi)容如下：（總

2、計(jì)100分）1、半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)：半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級(jí)；2、半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布：包括熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布，本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng)；3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：載流子的漂移運(yùn)動(dòng)、遷移率、散射、強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)、熱載流子的概念半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系；4、非平衡載流子：非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，愛因斯坦關(guān)系，一維穩(wěn)定擴(kuò)散，光激發(fā)載流子衰減

3、；5、pn結(jié)：平衡與非平衡pn結(jié)特點(diǎn)及其能帶圖，pn結(jié)理想和非理想IV特性，pn結(jié)電容概念與擊穿機(jī)制，pn結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢(shì)壘二極管；6、半導(dǎo)體金－半接觸：功函數(shù)、親和勢(shì)，阻擋層及反阻擋層，整流接觸，歐姆接觸；7、半導(dǎo)體MOS結(jié)構(gòu)：表面電場(chǎng)效應(yīng)，平帶電壓，理想與實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)CV特性，MOS系統(tǒng)的性質(zhì)（固定電荷、可動(dòng)離子、界面態(tài)對(duì)CV特性的影響），表面電場(chǎng)對(duì)pn結(jié)特性的影響；8、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)概念及基本異質(zhì)結(jié)的能帶圖；9、半導(dǎo)體

4、光學(xué)性質(zhì)：半導(dǎo)體光吸收，半導(dǎo)體光電探測(cè)器半導(dǎo)體太陽電池，半導(dǎo)體發(fā)光概念與應(yīng)用，半導(dǎo)體激光與應(yīng)用；10、半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)、半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)、半導(dǎo)體熱電效應(yīng)及其應(yīng)用。三、試卷的題型及比例三、試卷的題型及比例考試題型包括名詞解釋(25分)、簡(jiǎn)答題（40分）、綜合題（35分）。四、考試形式及時(shí)間四、考試形式及時(shí)間考試形式為筆試，時(shí)間為100分鐘。五、主要參考教材五、主要參考教材1劉恩科等編，《半導(dǎo)體物理學(xué)》第七版，電子工業(yè)出版社2曹培棟編著，《微電

5、子技術(shù)基礎(chǔ)雙極、場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理》，電子工業(yè)出版社天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱科目編號(hào)：0502科目名稱：半導(dǎo)體物理一、考試的總體要求一、考試的總體要求半導(dǎo)體物理為微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)基礎(chǔ)課，考試總分為100分。半導(dǎo)體物理要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體物理的基本理論、基本概念和方法，為進(jìn)一步學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件理論研究、器件制備、工藝和器件仿真，和集成電路設(shè)計(jì)等研究方向打下基礎(chǔ)。二、考試

6、的內(nèi)容及比例二、考試的內(nèi)容及比例考試內(nèi)容如下：（總計(jì)100分）1、半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)：半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級(jí)；2、半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布：包括熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布，本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng)；3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：載流子的漂移運(yùn)動(dòng)、遷移率、散射、強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)、熱載流子的概念半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系；4、非平衡載流子：非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、準(zhǔn)費(fèi)米

7、能級(jí)，愛因斯坦關(guān)系，一維穩(wěn)定擴(kuò)散，光激發(fā)載流子衰減；5、pn結(jié)：平衡與非平衡pn結(jié)特點(diǎn)及其能帶圖，pn結(jié)理想和非理想IV特性，pn結(jié)電容概念與擊穿機(jī)制，pn結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢(shì)壘二極管；6、半導(dǎo)體金－半接觸：功函數(shù)、親和勢(shì)，阻擋層及反阻擋層，整流接觸，歐姆接觸；7、半導(dǎo)體MOS結(jié)構(gòu)：表面電場(chǎng)效應(yīng)，平帶電壓，理想與實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)CV特性，MOS系統(tǒng)的性質(zhì)（固定電荷、可動(dòng)離子、界面態(tài)對(duì)CV特性的影響），表面電場(chǎng)對(duì)pn結(jié)特性的影響；8、半導(dǎo)體

8、異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)概念及基本異質(zhì)結(jié)的能帶圖；9、半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì)：半導(dǎo)體光吸收，半導(dǎo)體光電探測(cè)器半導(dǎo)體太陽電池，半導(dǎo)體發(fā)光概念與應(yīng)用，半導(dǎo)體激光與應(yīng)用；10、半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)、半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)、半導(dǎo)體熱電效應(yīng)及其應(yīng)用。三、試卷的題型及比例三、試卷的題型及比例考試題型包括名詞解釋(25分)、簡(jiǎn)答題（40分）、綜合題（35分）。四、考試形式及時(shí)間四、考試形式及時(shí)間考試形式為筆試，時(shí)間為100分鐘。五、主要參考教材五、主要參考教材1劉恩科等編，《半導(dǎo)體