二極管復(fù)習(xí)

1、二極管及基本電路復(fù)習(xí)二極管及基本電路復(fù)習(xí)一、半導(dǎo)體基本知識(shí)（1）本征半導(dǎo)體及其特點(diǎn)（2）摻雜半導(dǎo)體及特點(diǎn)（3）半導(dǎo)體中的兩種電流（4）PN結(jié)的形成（5）PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?）PN結(jié)的電容二、半導(dǎo)體二極管（1）二極管的結(jié)構(gòu)及類型（2）伏安特性曲線(硅管、鍺管正向特性中的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓；反向特性曲線中的反向擊穿都有什么特性、齊納擊穿和雪崩擊穿的基本機(jī)理)（3）溫度對(duì)二極管特性的影響（4）主要參數(shù)：額定整流電流，反向擊穿電壓，最高允許反

2、向工作電壓，反向電流，正向電壓降，最高工作頻率。三、二極管的基本電路及分析方法（1）圖解分析方法（2）模型分析方法（重點(diǎn)掌握）理想模型恒壓模型折線模型小信號(hào)模型（3）模型分析法的應(yīng)用四、特殊二極管：穩(wěn)壓二極管，發(fā)光二極管、變?nèi)荻O管、肖特基二極管、光電二極管，重點(diǎn)掌握齊納二極管的應(yīng)用計(jì)算（跟直流電源等內(nèi)容關(guān)聯(lián)起來了）自測(cè)題自測(cè)題1、本征半導(dǎo)體中的自由電子濃度___c_空穴濃度；P型半導(dǎo)體中的自由電子濃度___b_空穴濃度；N型半導(dǎo)體中的

3、自由電子濃度____a_空穴濃度。(a)大于(b)小于(c)等于2、在摻雜半導(dǎo)體中，多子的濃度主要取決于____d__，而少子的濃度則受_a______的影響很大。(a)溫度(b)晶體缺陷(c)摻雜工藝(d)摻雜濃度3、N型半導(dǎo)體___c__，P型半導(dǎo)體__c__。(a)帶正電(b)帶負(fù)電(c)呈中性4、當(dāng)PN結(jié)正向偏置時(shí)，擴(kuò)散電流__a_漂移電流耗盡層__f__。當(dāng)PN結(jié)反向偏置時(shí)，擴(kuò)散電流___b_漂移電流，耗盡層_e_______

4、。（a）大于(b)小于(c)等于(d)不變(e)變寬(f)變窄5當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的正向電壓將___b___，反向飽和電流將_a______(a)增大(b)減小(c)不變[答案](1)(c)，(b)，(a)(2)(d)，(a)。(3)(c)，(c)。(4)(a)，(f)，(b)，(e)(5)(b)，(a)6、本征半導(dǎo)體是________一種完全純潔的，結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體________，其載流子是14若穩(wěn)壓值為6v的穩(wěn)壓管接成如