二極管的分類83055

1、二極管的分類二極管的分類錄入：雨辰將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。11、PIN型二極管（PINDiode）這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質(zhì)的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征“意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時由于少數(shù)載流子的存貯效應和“本征“層中的渡越時間效應其二極管失去整流作用而變成阻抗元件并且其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時“本征“區(qū)的阻抗很高在直流正

2、向偏置時由于載流子注入“本征“區(qū)而使“本征“區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調(diào)制、限幅等電路中。12、雪崩二極管(AvalancheDiode)它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子因載流子渡越晶片需要一定的時間所以其電流滯后于電壓出現(xiàn)延遲時間若適當?shù)乜刂贫稍綍r間那么在電流和電壓關系上就會出現(xiàn)負阻效

3、應從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。13、江崎二極管（TunnelDiode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內(nèi)②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）簡并半導體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙

4、端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP／PV）其中下標“P“代表“峰“而下標“V“代表“谷“。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段）也可以被應用于高速開關電路中。14、快速關斷（階躍恢復）二極管(StepRecovaryDiode)它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū)從而形成“自助電場“。由于PN結在正向偏壓下以少數(shù)載流子導電并在PN結附近具有電荷

5、存貯效應使其反向電流需要經(jīng)歷一個“存貯時間“后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的“自助電場“縮短了存貯時間使反向電流快速截止并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。15、肖特基二極管（SchottkyBarrierDiode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結“的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體

6、材料采用硅或砷化鎵多為N型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的所以其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制因而它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。16、阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流正向壓降小高頻高壓整流二極管用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓