幾種增加led亮度的方法

1、提高LED芯片出射效率的技術以目前的技術可以使InGaN有源層在常溫，普通注入電流條件下的內量子效率達到90~95%。當溫度升高，內量子效率會比較大的下降。因此要提高發(fā)光效率必須控制結溫和提高出光效率。1提高LED芯片出射效率的技術11襯底激光剝離技術（Liftoff）因為LED的GaAs基襯底的折射率非常大，所以它所造成的內部光吸收損失很大。這種方法將LED的GaAs襯底剝離，換成透明襯底，然后粘結在透明的GaP襯底上，使光從下底面出

2、射。所以又被稱為透明襯底LED（TSLED）法。[4]理論上講，這種方法可以提高光的出射率一倍。對于以藍寶石襯底為主的GaAs系LED而言，其剝離技術（LLO）是基于GaN的同質外延發(fā)展的一項技術。GaN基半導體材料和器件發(fā)展的一個重大問題是由于沒有合適的襯底而造成的外延層質量問題，解決這個問題的一種可能途徑是利用對襯底透明的短脈沖激光照射襯底，融化緩沖層而將GaN外延層從寶石襯底上剝離下來，再用HVPE生長技術制成GaN襯底，用以實現

3、同質外延。美國的惠普公司在上世紀末最先在AlGaInPGaAsLED上實現；2002年，日亞正式把它用于UVLED的工藝上，使其發(fā)光效率得到很大的提高；2003年2月，德國OSRAM公司用LLO工藝將藍寶石去除，將LED的出光效率提升至75%。圖1:制作透明襯底用GaP代替GaAs12利用光子晶體技術（PhotonicCrystal）2003年，松下電器產業(yè)根據光子晶體原理開發(fā)成功了效率30%的GaN藍色發(fā)光二極管芯片，并聲稱通過改進芯

4、片，預計將能夠照射出60%左右的光（如下圖所示）。該產品通過在藍色LED芯片表面大量設置基于P型GaN的直徑1.5μm、高約0.5μm的圓柱狀凸部（折射率2.5），形成凸部和凹部的空氣層（折射率１）沿水平方向排列的光子晶體。照射到光子晶體中的光線因其周期性折射率分布而使光線發(fā)生衍射。使原先全反射的光違反折射定律而出射。然而，該法由于凸部是利用光刻技術和蝕刻技術形成的，所以成本十分高昂，離最終的產業(yè)化距離尚遠。圖2：具備圓柱狀凸起光子晶體

5、的白光LED1.3表面粗化技術（surfacetexturedLED）為了抑制GaAs與空氣折射率相差過大而造成的全反射光較多的問題，可以采用把pGaN表面粗化的方法。將介面按一定的規(guī)律打毛可以使部分全反射光線以散射光的形式出射，從而提高了出光率。如下圖3所示，在LED的上表面直接將其打毛，但該法對有源層及透明電極會造成一定的損傷，制作也較為困難，故而很多時候都采用直接刻蝕成型。加洲大學的I.Schnitzer和E.Yablonovit