半導(dǎo)體物理試卷04(最終)

1、試題編號：試題名稱：半導(dǎo)體物理第1頁共3頁一、填空（每空1分，共34分）1純凈半導(dǎo)體Si中摻V族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放電子電子。這種雜質(zhì)稱施主施主雜質(zhì)；相應(yīng)的半導(dǎo)體稱N型半導(dǎo)體。2當(dāng)半導(dǎo)體中載流子濃度的分布不均勻時(shí)，載流子將做擴(kuò)散擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；在半導(dǎo)體存在外加電壓情況下，載流子將做漂移漂移運(yùn)動(dòng)。3nopo=ni2標(biāo)志著半導(dǎo)體處于平衡平衡狀態(tài)，當(dāng)半導(dǎo)體摻入的雜質(zhì)含量改變時(shí)，乘積nopo改變否？；當(dāng)溫度變化時(shí)，nopo改變否？。4非平衡載

2、流子通過而消失，叫做壽命τ，壽命τ與在中的位置密切相關(guān)，對于強(qiáng)p型和強(qiáng)n型材料，小注入時(shí)壽命τn為，壽命τp為。5是反映載流子在電場作用下運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量，是反映有濃度梯度時(shí)載流子運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量，聯(lián)系兩者的關(guān)系式是，稱為關(guān)系式。6半導(dǎo)體中的載流子主要受到兩種散射，它們分別是和。前者在下起主要作用，后者在下起主要作用。7半導(dǎo)體中淺能級雜質(zhì)的主要作用是；深能級雜質(zhì)所起的主要作用。8對n型半導(dǎo)體，如果以EF和EC的相對位置作為衡量簡

3、并化與非簡并化的標(biāo)準(zhǔn)，那末，為非簡并條件；為弱簡并條件；為簡并條件。12當(dāng)PN結(jié)施加反向偏壓增大到某一數(shù)值時(shí)，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)象稱為，其種類為：、和。13指出下圖各表示的是什么類型半導(dǎo)體？試題編號：試題名稱：半導(dǎo)體物理第3頁共3頁（1）寫出樣品在摻雜均勻條件下的方程表達(dá)式（2）寫出樣品摻雜均勻、光照恒定且被樣品均勻吸收條件下的方程表達(dá)式三、計(jì)算（16分）1、單晶硅中均勻地?fù)饺雰煞N雜質(zhì)摻硼1.5?1016cm3摻磷5.0?