晶體管基礎(chǔ)知識(23)

1、晶體管基礎(chǔ)知識(23).txt永遠像孩子一樣好奇，像年輕人一樣改變，像中年人一樣耐心，像老年人一樣睿智。我的腰閃了，惹禍的不是青春，而是壓力。。。。。。當女人不再癡纏，不再耍賴，不再喜怒無常，也就不再愛了。晶體管基礎(chǔ)知識晶體管：（半導(dǎo)體分立器件）半導(dǎo)體分立器件泛指半導(dǎo)體二極管，三級管以及半導(dǎo)體特殊器件。特性參數(shù)：（二極管）If正向直流電流：他定義為二極管低阻方向流過的電流，對整流管定義為，規(guī)定使用條件下載阻性負載的正旋半波整流電路中允許

2、連續(xù)通過的最大工作電流平均值，對硅開關(guān)管，則規(guī)定為額定功率下允許通過二極管的最大正向脈沖電流。Ifm正向峰值電流:定義為額定功率下允許通過二極管的最大正向脈沖電流。Vf正向電壓降：他定義為二極管通過額定電流時的電壓降平均值。最高反向工作電壓：對硅整流管，為擊穿電壓的23，對硅堆，規(guī)定為正旋半波阻性負載電路中正常工作時所加的最大反向峰值電壓值。對鍺檢波管，硅開關(guān)管規(guī)定為反向電流在極間產(chǎn)生的電壓值。擊穿電壓：對于發(fā)生軟擊穿的如鍺檢波，開關(guān)管

3、，是指在給給定的反向電流的極間電壓值，對于硬擊穿的整流開關(guān)管，則指反向特性曲線急劇轉(zhuǎn)彎電的電壓峰值。特性參數(shù)：（三極管）HFE共發(fā)射極直流放大系數(shù)：當集電極電壓與電流為規(guī)定值時，Ic與Ib之比。Fhfe共發(fā)射極截止頻率：定義為當hfe下降至1khz時的0.707（即3db）的頻率。F0特征頻率：當頻率足夠高時，hfe將以每被頻程下降6db的速度下降，ft定義為hfe=1的頻率。Icbo發(fā)射極開路，集電極與基極電壓為規(guī)定值時的集電極電流。

4、Iceo基極開路，集電極與發(fā)射極電壓為規(guī)定值時的集電極電流。ICM集電極的最大允許電流。PCM集電極最大允許耗散功率。VCBO發(fā)射極開路，集電極基極的擊穿電壓。VCEO基極開路，集電極發(fā)射極的擊穿電壓。VEBO集電極開路，發(fā)射機基極的擊穿電壓。晶體管的溫度特性：對二極管而言，正向電流一定時，正向壓降隨溫度的升高而降低，室溫時，溫度升高1C正向壓降降低22.5mv反向漏電流則隨溫度按指數(shù)規(guī)律變化，溫度升高1C鍺管增加10%，硅管增加為7%

5、。對三極管而言，受溫度影響最大的參數(shù)包括：VBEICBOHFE.其中，VBE以(22.5)mvC的速率線性變化，Iceo在溫度不很高時，按指數(shù)規(guī)律變化，每升高910C增加一倍。HEF隨溫度增加1C增加2%左右，總之，當溫度升高時，都將使集3，不同廠家生產(chǎn)性能一致的器件使用同一登記號，故可以通用。歐洲半導(dǎo)體分立器件的型號命名方法：目前歐洲各國沒有明確統(tǒng)一的型號命名方法，但大部分歐洲共同體的國家一般使用國際電子聯(lián)合會的標準版導(dǎo)體分立器件的型

6、號命名方法。第一部分：用字母表示材料：A鍺材料，B硅材料，C砷化鉀，D銻化銦，R復(fù)合材料。第二部分：用字母表示類型。A檢波開關(guān)和混頻二極管B變?nèi)荻O管，C低頻小功率三極管D低頻大功率三極管，E隧道二極管，F(xiàn)高頻小功率三極管，H磁敏二極管，K開放磁路霍爾器件，M密封磁路霍爾器件，P光敏器件，Q發(fā)光器件，R小功率可控硅，T大功率可控硅，U大功率開關(guān)管，X倍增二極管，Y整流二極管，Z齊納二極管L高頻大功率管S小功率開關(guān)管第三部分：通用半導(dǎo)體器

7、件的登記序號。第四部分：同一型號器件的分檔標志。晶體管的代換基本原則：類型相同：包含以下三點。1材料相同，即硅管代換硅管，鍺管代換鍺管。2極性相同，即NPN代換NPN管。3種類相同即一般三極管代換一般三極管。場效應(yīng)管代換場效應(yīng)管。特性相近：代換管的主要參數(shù)與原管的參數(shù)相近，一般用途的三極管，只要以下主要參數(shù)相近即可代換，ＰＣＭ，ＩＣＭ，ＶＣＥＯ，Ｆ０在以上參數(shù)中，均要考慮代換管的參數(shù)大于或者等于原管的參數(shù)。對于特殊用途的三極管，還要考慮