電容式電壓互感器分壓電容介損現(xiàn)場

1、電容式電壓互感器分壓電容介損現(xiàn)場電容式電壓互感器分壓電容介損現(xiàn)場摘要：摘要：分析了由于接觸不良引起電容式電壓互感器分壓電容C2的介質(zhì)損耗tanδC2偏大的測量誤差及其消除方法。關(guān)鍵詞：關(guān)鍵詞：電容式電壓互感器接觸不良介質(zhì)損耗測量誤差電容式電壓互感器(簡稱CVT)的分壓電容C2電容量很大，如TYD110／0.015的C2為70～75nF。而500kVCVT的分壓電容(C2)的電容量高達140nF。按圖1測量C2的介質(zhì)損耗時，必須注意測量時

2、接觸應(yīng)良好，否則將帶來較大的測量誤差。圖1為西林電橋正接線測量分壓電容C2的電容量和介質(zhì)損耗原理接線圖。測量引線CX接于C2下端δ點的接線螺栓上。試品為TYD110／0.015，其3相介質(zhì)損耗的測量值分別為：A相：tanδC2=0.52%；B相：tanδC2=0.49%；C相：tanδC2=0.47%式中ωCXRJ即為偏大的測量誤差。由于TYD110／0.015的分壓電容C2電容量一般為70～75nF，當RJ=200kΩ時，ωC

3、XRJ≈0.5%；當RJ=85Ω時，ωCXRJ=0.2%，即達到《電力設(shè)備預(yù)防性試驗規(guī)程》的規(guī)定值。而對500kVCVT由于分壓電容C2≈140nF，當RJ=45Ω時，ωCXRJ=0.2%。也就是說，對此類大電容而介質(zhì)損耗標準很小的試品，測量時，必須注意由于接觸不良引起的偏大的測量誤差。稍不注意就可能使分壓電容C2的介質(zhì)損耗tanδC2超過規(guī)程的規(guī)定值0.2%。所以當CVT分壓電容C2的介質(zhì)損耗超出規(guī)程時，要檢查試驗接線是否接觸良好。

4、應(yīng)該指出，對于一般試品由于其電容CX僅為幾百微微法(如套管、互感器等)所以一般即使有接觸電阻RJ的影響，其值ωCXRJ均很小亦可以忽略不計。而對于一些大電容試品(如變壓器繞組間或繞組對地電容)其介質(zhì)損耗的標準相對較大(最小值為0.8%)，所以ωCXRJ的影響相對亦小一些。往往不會使實測tanδ超過規(guī)程的規(guī)定值。結(jié)論：測量大電容小介損試品時，必須注意測量引線接觸不良造成的偏大測量誤差，尤其當實測介質(zhì)損耗不合格時必須排除引線接觸電阻的影響。