四探針測(cè)試儀作業(yè)指導(dǎo)書(shū)

1、SDY4型四探針測(cè)試儀作業(yè)指導(dǎo)書(shū)共8頁(yè)第1頁(yè)只有加蓋紅色受控章的，或頒布于公司局域網(wǎng)指定目錄的文件，才是有效的。請(qǐng)使用有效版本。SDY4型四探針測(cè)試儀作業(yè)指導(dǎo)書(shū)1.0版本Rev.編寫(xiě)人Preparedby編寫(xiě)日期PreparedDate審核人Checkedby審核時(shí)間CheckedDate批準(zhǔn)人Approvedby批準(zhǔn)日期ApprovedDateSDY4型四探針測(cè)試儀作業(yè)指導(dǎo)書(shū)共8頁(yè)第3頁(yè)只有加蓋紅色受控章的，或頒布于公司局域網(wǎng)指定目錄

2、的文件，才是有效的。請(qǐng)使用有效版本。版本：1.01.1.目的：目的：規(guī)范四探針測(cè)試儀的操作與維修保養(yǎng)工作。2.2.范圍范圍：適用于車(chē)間內(nèi)四探針測(cè)試儀的操作與維修保養(yǎng)工作。3.3.職責(zé)：職責(zé)：3.1負(fù)責(zé)擴(kuò)散后方塊電阻的測(cè)試。3.2規(guī)范操作，為測(cè)試數(shù)據(jù)規(guī)范化提供依據(jù)。3.3負(fù)責(zé)發(fā)現(xiàn)擴(kuò)散后硅片質(zhì)量、工藝異常狀況時(shí)的反映。4名詞定義：名詞定義：4.1SDY4型四探針測(cè)試儀5.5.內(nèi)容內(nèi)容:5.1儀器介紹：SDY4型四探針測(cè)試儀是根據(jù)單晶硅物理測(cè)

3、試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試專(zhuān)用儀器.儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件采用平面輕觸式開(kāi)關(guān)控制及各種工作狀態(tài)LED指示.應(yīng)用微計(jì)算機(jī)技術(shù)，利用HQ－710E型測(cè)量數(shù)據(jù)處理器，使得測(cè)量讀數(shù)更加直觀、快速，整套儀器體積小、功耗低、測(cè)量精度高、測(cè)試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。本儀器可滿(mǎn)足半導(dǎo)體材料、器件的研究生產(chǎn)單位對(duì)材料(棒材、片材)電阻率及擴(kuò)散層、離子注入層、異型外延層和導(dǎo)電薄膜方塊