氧化鋅納米棒陣列的生長

1、AlignedAlignedZnOZnONanodNanodArraysArraysGrownGrownDirectlyDirectlyononZincZincFoilsFoilsZincZincSpheresSpheresbybyaLowTemperatureLowTemperatureOxidizationOxidizationMethodMethod用低溫氧化方法直接在鋅箔和鋅用低溫氧化方法直接在鋅箔和鋅顆粒培養(yǎng)排列有序的氧化鋅納

2、米顆粒培養(yǎng)排列有序的氧化鋅納米棒陣列棒陣列ABSTRACTABSTRACTVerticallyaligneddenseZnOnanodarraysweregrowndirectlyonzincfoilsbyacatalystfreelowtemperature(450_500C)oxidizationmethod.ThezincfoilsremainconductiveevenafterthegrowthofZnOnanodsonits

3、surface.Thesuccessofthissynthesislargelyreliesonthelevelofcontroloveroxygenintroduction.ByreplacingzincfoilswithzincmicrospheresuniquesophisticatedurchinlikeZnOnanodassembliescanbereadilyobtained.摘要摘要垂直有序密排的氧化鋅納米棒陣列直接通垂直

4、有序密排的氧化鋅納米棒陣列直接通過無催化劑，低溫（過無催化劑，低溫（450~500C）氧化法在）氧化法在鋅箔上生長。在氧化鋅納米棒生長在它表鋅箔上生長。在氧化鋅納米棒生長在它表面上后，鋅箔仍然具有導(dǎo)電性。合成能夠面上后，鋅箔仍然具有導(dǎo)電性。合成能夠成功在很大程度上依賴于對(duì)引導(dǎo)氧氣控制成功在很大程度上依賴于對(duì)引導(dǎo)氧氣控制程度。程度。通過將鋅箔更換成鋅微球，獨(dú)特和復(fù)雜的通過將鋅箔更換成鋅微球，獨(dú)特和復(fù)雜的海膽樣氧化鋅納米棒組件很容易獲得。海

5、膽樣氧化鋅納米棒組件很容易獲得。Zincoxide(ZnO)isrecognizedasone米氧化鋅吸引了研究機(jī)構(gòu)大量的注意力。尤其是，大米氧化鋅吸引了研究機(jī)構(gòu)大量的注意力。尤其是，大量努力已投入垂直有序排列的氧化鋅納米線陣列的制量努力已投入垂直有序排列的氧化鋅納米線陣列的制備中，因?yàn)檫@些陣列顯示優(yōu)越的光學(xué)和場發(fā)射性能，備中，因?yàn)檫@些陣列顯示優(yōu)越的光學(xué)和場發(fā)射性能，使他們有望應(yīng)用于紫外激光器，發(fā)光二極管（發(fā)光二使他們有望應(yīng)用于紫外激光

6、器，發(fā)光二極管（發(fā)光二極管），太陽能電池，和極管），太陽能電池，和led。為了制造垂直有序排。為了制造垂直有序排列氧化鋅納米棒陣列，至今為止三個(gè)主要的技術(shù)通常列氧化鋅納米棒陣列，至今為止三個(gè)主要的技術(shù)通常被使用。第一種技術(shù)是在著名的氣液固增長機(jī)制，其中使用。第一種技術(shù)是在著名的氣液固增長機(jī)制，其中黃金納米粒子被用作催化劑引導(dǎo)納米線的生長，藍(lán)寶黃金納米粒子被用作催化劑引導(dǎo)納米線的生長，藍(lán)寶石狀晶面具有完美的晶格匹配，它用氧化鋅晶面被用石狀

7、晶面具有完美的晶格匹配，它用氧化鋅晶面被用作生長基質(zhì)，并且生長在相對(duì)溫度高作生長基質(zhì)，并且生長在相對(duì)溫度高850_1000c的情況下進(jìn)行情況下進(jìn)行Thesecondtechniqueismetal_ganicchemicalvapdeposition(MOCVD)inwhichmetal_ganiczincprecurs(diethylzincEt2Zn)wasusedasthezincsourcealignedZnOnanowires