mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動電阻選擇

1、MOSMOS管參數(shù)解釋管參數(shù)解釋MOS管介紹管介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。MOSFET管是FET的一種，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應(yīng)用的為增強(qiáng)型的NMOS管和增強(qiáng)型的PMOS管，所以通常提到的就是這兩種。這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NM

2、OS。在MOS管內(nèi)部，漏極和源極之間會寄生一個二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載(如馬達(dá))，這個二極管很重要，并且只在單個的MOS管中存在此二極管，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。Idm:最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系Pd:最大耗散功率Tj:最大工作結(jié)溫，通常為150度和175度Tstg:最大存儲溫度Iar:雪崩電流Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量BVdss：DS擊

3、穿電壓Idss:飽和DS電流，uA級的電流Igss:GS驅(qū)動電流，nA級的電流.gfs:跨導(dǎo)Qg:G總充電電量Qgs:GS充電電量Qgd:GD充電電量Td(on):導(dǎo)通延遲時(shí)間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時(shí)間Tr:上升時(shí)間，輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間Td(off):關(guān)斷延遲時(shí)間，輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關(guān)斷電壓時(shí)10%的時(shí)間Tf:下降時(shí)間，輸出電壓VDS從10%上升到其幅