電力電子技術(shù)答案第五版(全)

1、電子電力課后習(xí)題答案電子電力課后習(xí)題答案第一章第一章電力電子器件電力電子器件1.11.1使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？答：使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正相陽極電壓，并在門極施加觸發(fā)電流（脈沖）。或者UAK0且UGK01.21.2維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小

2、電流，即維持電流。1.31.3圖1－4343中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形，各波形的電流最大值均為中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形，各波形的電流最大值均為Im，試計算各波形的電流平均值，試計算各波形的電流平均值Id1d1、Id2d2、Id3d3與電流有效值與電流有效值I1、I2、I3。解：a)Id1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214?????????tI1=Im4767.021432Im)()sin

3、(Im2142?????????wtdtb)Id2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14????wtdt????I2=Im6741.021432Im2)()sin(Im142?????????wtdtc)Id3=??20Im41)(Im21???tdI3=Im21)(Im21202??td???1.4.1.4.上題中如果不考慮安全裕量上題中如果不考慮安全裕量問100A100A的晶闡管能送出的平均電流的晶闡管能送出的平均電流

4、Id1d1、Id2d2、Id3d3各為各為多少多少這時，相應(yīng)的電流最大值這時，相應(yīng)的電流最大值Im1m1、Im2m2、Im3m3各為多少各為多少解：額定電流IT(AV)=100A的晶閘管，允許的電流有效值I=157A由上題計算結(jié)果知a)Im135.3294767.0??IAId1?0.2717Im1?89.48Ab)Im290.2326741.0AI??Id2AIm56.1265434.02??1.8.1.8.全控型器件的緩沖電路的主要

5、作用是什么全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么試分析試分析RCDRCD緩沖電路中各元件的作用。緩沖電路中各元件的作用。答：全控型器件緩沖電路的主要作用是抑制器件的內(nèi)因過電壓，dudt或過電流和didt，減小器件的開關(guān)損耗。RCD緩沖電路中，各元件的作用是：開通時，Cs經(jīng)Rs放電，Rs起到限制放電電流的作用；關(guān)斷時，負載電流經(jīng)VDs從Cs分流，使dudt減小，抑制過電壓。1.9.1.9.試說明試說明IGBTIGBT、GTRGTR、GTOG

6、TO和電力和電力MOSFETMOSFET各自的優(yōu)缺點各自的優(yōu)缺點。解:對ⅠGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的優(yōu)缺點的比較如下表：器件優(yōu)點缺點IGBT開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小。開關(guān)速度低于電力MOSFET，電壓電流容量不及GTO。GTR耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強，飽和壓降低。開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題。

7、GTO電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強。電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低。電力MOSFET開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題。電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。1.101.10什么是晶閘管的額定電流？什么是晶閘管的額定電流？答：晶閘管的額定電流就是它的