硬件設(shè)計中電容電感磁珠總結(jié)

1、常見電容器有：鋁電解電容器：極性，容量大，能耐受大的脈動電流，但容量誤差大，泄漏電流大，適合于低頻旁路、信號耦合和電源濾波等場合。膽電解電容：擁有普通電解電容的特性，漏電流極小，壽命長，容量誤差小，體積小，適合小型設(shè)備中。薄膜電容器：是無極性電容器，用于差濾波器、積分、振蕩和定時電路。瓷介電容器：無極性電容適合于高頻旁路。陶瓷電容器：是無極性電容器，有高頻陶瓷電容和低頻陶瓷電容。適用于高、低頻電路中，不適合脈沖電路，否則容易擊穿。另外，

2、在判定電解電容極性時，直插式電解電容器，有白色標(biāo)記或者引線較短的一端為負(fù)極；如果是貼片電解電容，有橫桿標(biāo)記的一端為正極。二極管和三級管：如3AX82_81對材料的命名方式：A－N型鍺材料B－P型鍺材料C－N型硅材料D－P型硅材料。對類型的命名方式為：P—普通管W－穩(wěn)壓管。三極管中，對材料的命名方式：A－PNP型鍺材料B－NPN型鍺材料C－PNP型硅材料D－NPN型硅材料。對類型的命名方式為：Z－整流管X－低頻小功率管U－光電管K－開關(guān)管

3、CS－場效應(yīng)管。磁珠電感：為了濾除電源電路對系統(tǒng)的噪聲干擾，往往在電源輸出增加一個電感或磁珠，以濾除電源電路帶來的噪聲。電感的濾波是反射式濾波，對各種頻率的信號都有衰減，磁珠則是吸收式濾波，只對1KHz信號有大的衰減，對其他信號衰減較小。磁珠有時需要考慮其散熱，否則會1)鋁電容是由鋁箔刻槽氧化后再夾絕緣層卷制，然后再浸電解質(zhì)液制成的，其原理是化學(xué)原理，電容充放電靠的是化學(xué)反應(yīng)，電容對信號的響應(yīng)速度受電解質(zhì)中帶電離子的移動速度限制，一般都

4、應(yīng)用在頻率較低（1M以下）的濾波場合，ESR主要為鋁萡電阻和電解液等效電阻的和，值比較大。鋁電容的電解液會逐漸揮發(fā)而導(dǎo)致電容減小甚至失效，隨溫度升高揮發(fā)速度加快。溫度每升高10度，電解電容的壽命會減半。如果電容在室溫27度時能使用10000小時的話，57度的環(huán)境下只能使用1250小時。所以鋁電解電容盡量不要太靠近熱源。2)瓷片電容存放電靠的是物理反應(yīng)，因而具有很高的響應(yīng)速度，可以應(yīng)用到上G的場合。不過，瓷片電容因為介質(zhì)不同，也呈現(xiàn)很大的

5、差異。性能最好的是C0G材質(zhì)的電容，溫度系數(shù)小，不過材質(zhì)介電常數(shù)小，所以容值不可能做太大。而性能最差的是Z5UY5V材質(zhì)，這種材質(zhì)介電常數(shù)大，所以容值能做到幾十微法。但是這種材質(zhì)受溫度影響和直流偏壓（直流電壓會致使材質(zhì)極化，使電容量減?。┯绊懞車?yán)重。一般濾波主要使用大容量電容，對速度要求不是很快，但對電容值要求較大。一般使用鋁電解電容。浪涌電流較小的情況下，使用鉭電容代替鋁電解電容效果會更好一些。從上面的例子我們可以知道，作為退耦的電容

6、，必需有很快的響應(yīng)速度才能達(dá)到效果。如果圖中的局部電路A是指一個芯片的話，那么退耦電容要用瓷片電容，而且電容盡可能靠近芯片的電源引腳。而如果“局部電路A”是指一個功能模塊的話，可以使用瓷片電容，如果容量不夠也可以使用鉭電容或鋁電解電容（前提是功能模塊中各芯片都有了退耦電容—瓷片電容）。濾波電容的容量往往都可以從開關(guān)電源芯片的數(shù)據(jù)手冊里找到計算公式。如果濾波電路同時使用電解電容、鉭電容和瓷片電容的話，把電解電容放的離開關(guān)電源最近，這樣能保

7、護鉭電容。瓷片電容放在鉭電容后面。這樣可以獲得最好的濾波效果。退耦電容需要滿足兩個要求，一個是容量需求，另一個是ESR需求。也就是說一個0.1uF的電容退耦效果也許不如兩個0.01uF電容效果好。而且，0.01uF電容在較高頻段有更低的阻抗，在這些頻段內(nèi)如果一個0.01uF電容能達(dá)到容量需求，那么它將比0.1uF電容擁有更好的退耦效果。很多管腳較多的高速芯片設(shè)計指導(dǎo)手冊會給出電源設(shè)計對退耦電容的要求，比如一款500多腳的BGA封裝要求3

8、.3V電源至少有30個瓷片電容，還要有幾個大電容，總?cè)萘恳?00uF以上…每路輸入都有10nF和100nF濾雜訊，同時為了穩(wěn)定壓降，接有一個10uF的大電容。一般來說，小電容需要靠近芯片，而且每個pin一個。大電容則可放遠(yuǎn)點。對于電源輸出部分來說，除一般原則，需要考慮器件峰值電流較大，把電平拉下來的可能。因此需要一顆大電容，一般10uF以上，數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容