材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題精編版

1、11、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。（A）共價(jià)鍵向離子鍵（B）離子鍵向共價(jià)鍵（C）金屬鍵向共價(jià)鍵（D）鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（B），離子配位數(shù)（）。（A）增大，降低（B）減小，降低（C）減小，增大（D）增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（C）。（A）5（B）6（C）4（D）34、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na填

2、充在Cl所構(gòu)成的（B）空隙中。（A）全部四面體（B）全部八面體（C）12四面體（D）12八面體5、CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs填充在Cl所構(gòu)成的（C）空隙中。（A）全部四面體（B）全部八面體（C）全部立方體（D）12八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（B）個(gè)MgO分子。（A）2（B）4（C）6（D）87、螢石晶體可以看作是Ca2作面心立方堆積，F(xiàn)填充了

3、（D）。（A）八面體空隙的半數(shù)（B）四面體空隙的半數(shù)（C）全部八面體空隙（D）全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2的配位數(shù)為8，F(xiàn)配位數(shù)為（B）。（A）2（B）4（C）6（D）89、CsCl晶體中Cs的配位數(shù)為8，Cl的配位數(shù)為（D）。（A）2（B）4（C）6（D）810、硅酸鹽晶體的分類原則是（B）。（A）正負(fù)離子的個(gè)數(shù)（B）結(jié)構(gòu)中的硅氧比（C）化學(xué)組成（D）離子半徑11、鋯英石Zr[SiO4]是（A）。（A）島狀結(jié)構(gòu)（B）層狀結(jié)構(gòu)（C

4、）鏈狀結(jié)構(gòu)（D）架狀結(jié)構(gòu)3（A）結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件（B）結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件（C）結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件（D）結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（D）。（A）點(diǎn)缺陷（B）線缺陷（C）面缺陷（D）ABC24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（D）。（A）熱缺陷（B）雜質(zhì)缺陷（C）非化學(xué)計(jì)量缺陷（D）ABC25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升

5、高而增加，其變化規(guī)律是（B）。（A）線性增加（B）呈指數(shù)規(guī)律增加（C）無規(guī)律（D）線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（D）。（A）雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大?。˙）晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)（C）電價(jià)因素（D）ABC27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。（A）外力（B）熱應(yīng)力（C）化學(xué)力（D）結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（BurgersVect）與位錯(cuò)線垂直的

6、位錯(cuò)稱為（A），其符號(hào)表示為（）。（A）刃位錯(cuò)；⊥（B）刃位錯(cuò)；VX（C）螺位錯(cuò)；（D）刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（B）。（A）正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮?。˙）正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加（C）正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶